Výsledky vyhledávání
- 1.0337275 - FZÚ 2010 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Wang, K. Y. - Irvine, A.C. - Wunderlich, Joerg - Edmonds, K. W. - Rushforth, A.W. - Campion, R. P. - Foxon, C. T. - Williams, D.A. - Gallagher, B. L.
Magnetic reversal under external field and current-driven domain wall motion in (Ga,Mn)As: influence of extrinsic pinning.
[Polem indukovaná změna magnetizace díky pohybu doménové stěny v GaMnAs: vliv zachycení na překážce.]
New Journal of Physics. Roč. 10, č. 8 (2008), 085007/1-085007/15. ISSN 1367-2630. E-ISSN 1367-2630
GRANT EU: European Commission(XE) 015728 - NANOSPIN
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: ferromagnetic semiconductor * domain wall motion
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.440, rok: 2008
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0181305 - 2.0134662 - FZU-D 20030563 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Jungwirth, Tomáš - Sinova, J. - Wang, K. Y. - Edmonds, K. W. - Campion, R. P. - Gallagher, B. L. - Foxon, C. T. - Niu, Q. - MacDonald, A. H.
Dc-transport properties of ferromagnetic (Ga,Mn)As semiconductors.
Applied Physics Letters. Roč. 83, č. 2 (2003), s. 320-322. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Grant CEP: GA ČR GA202/02/0912
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: ferromagnetic semiconductors * dc transport properties * (Ga, Mn)As
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 4.049, rok: 2003
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032556 - 3.0079015 - FZÚ 2007 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Wunderlich, J. - Jungwirth, Tomáš - Kaestner, B. - Irvine, A.C. - Shick, Alexander - Stone, N. - Wang, K. Y. - Rana, U. - Giddings, A.D. - Foxon, C. T. - Campion, R. P. - Williams, D.A. - Gallagher, B. L.
Coulomb Blockade Anisotropic Magnetoresistance Effect in a (Ga,Mn)As Single-Electron Transistor.
[Anisotropní magnetoresistence v režimu Coulombovské blokády v jednoelektronovém transistoru na bázi (Ga,Mn)As.]
Physical Review Letters. Roč. 97, č. 7 (2006), 077201/1-077201/4. ISSN 0031-9007. E-ISSN 1079-7114
Grant CEP: GA ČR GA202/05/0575; GA MŠMT LC510
Grant ostatní: EPSRC(GB) GR/S81407/01
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: anisotropic magnetoresistance * Coulomb blockade * single electron transistor
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 7.072, rok: 2006
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0143916 - 4.0079005 - FZÚ 2007 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Jungwirth, Tomáš - Mašek, Jan - Wang, K. Y. - Edmonds, K. W. - Sawicki, M. - Polini, M. - Sinova, J. - MacDonald, A. H. - Campion, R. P. - Zhao, L.X. - Farley, N.R.S. - Johal, T.K. - van der Laan, G. - Foxon, C. T. - Gallagher, B. L.
Low-temperature magnetization of (Ga,Mn)As semiconductors.
[Nízkoteplotní magnetizace polovodičů (Ga,Mn)As.]
Physical Review. B. Roč. 73, č. 16 (2006), 165205/1-165205/11. ISSN 1098-0121
Grant CEP: GA ČR GA202/05/0575
Grant ostatní: EPSRC(GB) GR/S81407/01; FENIKS(XE) EC:G5RD-CT-2001-00535; US Department of Energy(US) DE-FG03-02ER45958
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: ferromagnetic semiconductors * magnetization
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.107, rok: 2006
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0143909 - 5.0030295 - FZÚ 2006 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Jungwirth, Tomáš - Wang, K. Y. - Mašek, Jan - Edmonds, K. W. - König, J. - Sinova, J. - Polini, M. - Goncharuk, Natalya - MacDonald, A. H. - Sawicki, M. - Campion, R. P. - Zhao, L.X. - Foxon, C. T. - Gallagher, B. L.
Prospects of high temperature ferromagnetism in (Ga, Mn)As semiconductors.
[Možnost dosažení vysoké kritické teploty přechodu do feromagnetického stavu v polovodičích (Ga, Mn)As.]
Physical Review. B. Roč. 72, č. 16 (2005), 165204/1-165204/13. ISSN 1098-0121
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA202/05/0575; GA MŠMT(CZ) LC510
Grant ostatní: EU FENIKS(XE) EC:G5RD-CT-2001-00535; EPSRC(GB) GR/S81407/01; Welch Foundation(GB) DE-FG03-02ER45958; Deutsche Forschungsgemeinschaft(DE) SFB 491
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: ferromagnetic semiconductors * spintronics
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.185, rok: 2005
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0120047