Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0546598 - FZÚ 2022 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
    Izsák, Tibor - Vanko, G. - Babčenko, Oleg - Vincze, A. - Vojs, M. - Zaťko, B. - Kromka, Alexander
    Influence of SiON interlayer on the diamond/GaN heterostructures studied by Raman and SIMS measurements.
    Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. Roč. 273, Nov. (2021), č. článku 115434. ISSN 0921-5107. E-ISSN 1873-4944
    Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) 8X20035; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
    Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: polycrystalline diamond * GaN * Raman spectroscopy * stress * SIMS
    Obor OECD: Coating and films
    Impakt faktor: 3.407, rok: 2021
    Způsob publikování: Omezený přístup
    https://doi.org/10.1016/j.mseb.2021.115434
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0323195
     
     
  2. 2.
    0536164 - FZÚ 2021 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
    Řeháček, V. - Hotový, I. - Marton, M. - Mikolášek, M. - Michniak, P. - Vincze, A. - Kromka, Alexander - Vojs, M.
    Voltammetric characterization of boron-doped diamond electrodes for electroanalytical applications.
    Journal of Electroanalytical Chemistry. Roč. 862, Apr (2020), s. 1-9, č. článku 114020. ISSN 1572-6657. E-ISSN 1873-2569
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: boron-doped diamond * electrode kinetics * electroanalysis * voltammetry * surface treatment * Bismuth film
    Obor OECD: Analytical chemistry
    Impakt faktor: 4.464, rok: 2020
    Způsob publikování: Omezený přístup
    https://doi.org/10.1016/j.jelechem.2020.114020
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0313984
     
     
  3. 3.
    0473944 - FZÚ 2018 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Babchenko, O. - Dzuba, J. - Lalinský, T. - Vojs, M. - Vincze, A. - Ižák, Tibor - Vanko, G.
    Stability of AlGaN/GaN heterostructures after hydrogen plasma treatment.
    Applied Surface Science. Roč. 395, Feb (2017), s. 92-97. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-16549P
    Grant ostatní: AV ČR(CZ) SAV-16-02
    Program: Bilaterální spolupráce
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: AIGaN/GaN heterostructure * hydrogen plasma * SIMS * TLM * HEMT
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 4.439, rok: 2017
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0271045
     
     
  4. 4.
    0392041 - FZÚ 2014 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
    Jelínek, Miroslav - Havránek, Vladimír - Remsa, Jan - Kocourek, Tomáš - Vincze, A. - Bruncko, J. - Studnička, Václav - Rubešová, K.
    Composition, XRD and morphology study of laser prepared LiNbO3 films.
    Applied Physics A - Materials Science & Processing. Roč. 110, č. 4 (2013), s. 883-888. ISSN 0947-8396. E-ISSN 1432-0630
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GAP106/10/1477; GA MŠMT(CZ) MEB0810156
    Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:61389005
    Klíčová slova: LiNbO3 * thin films * PLD * composition * morphology
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.694, rok: 2013
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0221019
     
     
  5. 5.
    0133759 - FZU-D 20020140 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Srnanek, R. - Vincze, A. - Kovac, J. - Gregora, Ivan - Mc Phail, D. S. - Gottschalsch, V.
    A Raman study of GaAsN, GaInAsN layers on bevelled samples.
    Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. 91-92, - (2002), s. 87-90. ISSN 0921-5107. E-ISSN 1873-4944.
    [International Conference of Defects /9./. Rimini, 24.09.2001-28.09.2001]
    Grant ostatní: GA-(SK) 1/7600/20; GA-(SK) 4/7643/20
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: Raman spectroscopy * GaAsN * GaInAsN * bevelling
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031718
     
     


  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.