Výsledky vyhledávání
- 1.0342123 - FZÚ 2011 RIV RU eng J - Článek v odborném periodiku
Mikhailova, M. P. - Ivanov, E.V. - Moiseev, K. D. - Yakovlev, Yu. P. - Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Šimeček, Tomislav
Electroluminescence in p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p(n)-GaSb type II heterostructures with deep quantum wells at the interface.
Semiconductors. Roč. 44, č. 1 (2010), 66-71. ISSN 1063-7826. E-ISSN 1090-6479
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: electroluninescence * MOVPE * GaSb * InAs * quantum well
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.603, rok: 2010
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0184942 - 2.0181284 - UFCH-W 20010206 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Imenkov, A. N. - Kolčanova, N. M. - Kubát, Pavel - Moiseev, K. D. - Civiš, Svatopluk - Jakovlev, Yu. P.
Current-Tunable lasers with a Narrow Emission Line Operating at 3.3 ćm.
Semiconductors. Roč. 35, č. 3 (2001), s. 360-364. ISSN 1063-7826. E-ISSN 1090-6479
Grant CEP: GA AV ČR IAA4040104
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z4040901
Klíčová slova: semiconductors lasers * heterostructure lasers
Kód oboru RIV: CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
Impakt faktor: 0.575, rok: 2001
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0077866 - 3.0181108 - UFCH-W 20010013 RIV RU rus J - Článek v odborném periodiku
Imenkov, A. N. - Kolčanova, N. M. - Kubát, Pavel - Moiseev, K. D. - Civiš, Svatopluk - Jakovlev, J. P.
Perestraivaemye tokom lazery na 3.3 mkm s uzkoj liniej izlučenija.
[Current Tunable 3.3 ćm Lasers with a Narrow Emission Linewidth.]
Fizika i technika poluprovodnikov. Roč. 35, č. 3 (2001), s. 375-379. ISSN 0015-3222
Grant CEP: GA AV ČR IAA4040708
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z4040901
Klíčová slova: InAsSb/InAsSbP * diode lasers * double heterostructure
Kód oboru RIV: CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0077707 - 4.0134447 - FZU-D 20030347 RIV RU eng J - Článek v odborném periodiku
Moiseev, K. D. - Mikhailova, M. P. - Yakovlev, Yu. P. - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Šimeček, Tomislav
Electroluminescence in a semimetal channel at a single broken-gap heterointerface of type II.
Semiconductors. Roč. 37, č. 10 (2003), s. 1185-1189. ISSN 1063-7826. E-ISSN 1090-6479
Grant ostatní: Russian Fondation for Basic Research(RU) 02-02-17633; GLADIS(XE) IST-2001-35178
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: GaInAsSb * InAs * electroluminescence * broken-gap * II type heterointerface * semimetal channel
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.643, rok: 2003
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032349 - 5.0133756 - FZU-D 20020137 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Vorlíček, Vladimír - Moiseev, K. D. - Mikhailova, M. P. - Yakovlev, Yu. P. - Hulicius, Eduard - Šimeček, Tomislav
Raman scattering study of type II GaInAsSb/InAs heterostructures.
Crystal Research and Technology. Roč. 37, 2-3 (2002), s. 259-267. ISSN 0232-1300. E-ISSN 1521-4079
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0414
Grant ostatní: GA-(RU) 990218330
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: III-V alloy compound semiconductors * phonons * Raman spectra liquid phase epitaxy * midinifrared optoelectronics
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.505, rok: 2002
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031715 - 6.0133729 - FZU-D 20020110 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Moiseev, K. D. - Mikhailova, M. P. - Yakovlev, Yu. P. - Šimeček, Tomislav - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří
Photoluminescence of Ga0.94In0.06As0.13Sb0.87 solid solution lattice matched to InAs.
Optical Materials. Roč. 19, - (2002), s. 455-459. ISSN 0925-3467. E-ISSN 1873-1252
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010807
Grant ostatní: GA(XX) 990218330
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: semiconductors III-V * photoluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.879, rok: 2002
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031690 - 7.0133514 - FZU-D 20010209 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Moiseev, K. D. - Mikhailova, M. P. - Yakovlev, Yu. P. - Šimeček, Tomislav - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří
Low temperature photoluminescence of Ga0.84In0.16As0.22Sb0.78 solid solutions lattice matched to InAs.
Journal of Applied Physics. Roč. 90, č. 6 (2001), s. 2813-2817. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
Výzkumný záměr: CEZ:A02/98:Z1-010-914
Klíčová slova: LPE * GaIn0.16As0.22Sb * photoluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.128, rok: 2001
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031479 - 8.0132532 - FZU-D 990484 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Moiseev, K. D. - Mikhailova, M. P. - Stoyanov, N. D. - Yakovlev, Y. P. - Hulicius, Eduard - Šimeček, Tomislav - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří
Electroluminiscence and photoelectric properties of type II broken-gap n-In(Ga)As(Sb)/ N-GaSb heterostructures.
Journal of Applied Physics. Roč. 86, č. 11 (1999), s. 6264-6268. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010807
GRANT EU: European Commission(XE) BRPR970466 - ADMIRAL
Grant ostatní: Russian Basic Research Founadation(RU) 17841a; European Community Project(XE) IC20-CT97-007
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.275, rok: 1999
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030551 - 9.0039958 - FZÚ 2007 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Moiseev, K. D. - Ivanov, E.V. - Zegrya, G.G. - Mikhailova, M. P. - Yakovlev, Yu. P. - Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Room-temperature electroluminescence of AlSb/InAsSb single quantum wells grown by Metal Organic Vapour Phase Epitaxy.
[Elektroluminiscence jednonásobných kvantových jam při pokojové teplotě vyrostlých organokovovou epitaxí z plynné fáze.]
Applied Physics Letters. Roč. 88, č. 13 (2006), 132102/1-132102/3. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP202/02/D069; GA AV ČR(CZ) IAA1010318
Grant ostatní: GLADIS(XE) IST-2001-35178; Russian Basic Research Fondation(RU) 04-02-17655 and 04-07-90148
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: MOVPE * AlSb/InAsSb * quantum well * electroluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.977, rok: 2006
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0133838 - 10.0030650 - FZÚ 2006 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Hulicius, Eduard - Šimeček, Tomislav - Moiseev, K. D. - Mikhailova, M. P. - Yakovlev, Yu. P.
Electroluminescence of type II broken-gap p-Ga0.84In0.16As0.22Sb0.78/p-InAs.
[Elektroluminiscence heterostruktur typu II broken-gap p-Ga0.84In0.16As0.22Sb0.78/p-InAs kanálem vysoce pohyblivých elektronů na rozhraní.]
Journal of Applied Physics. Roč. 98, č. 8 (2005), 083512/1-083512/4. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
Grant ostatní: EU(XE) IST-2001-35178 GLADIS; RFBR(XX) 02-02-17633
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: electroluminescence * type-II broken-gap heterojunction * high-mobility electron channel * Auger nonradiative recombination
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.498, rok: 2005
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0120378