Výsledky vyhledávání
- 1.0578139 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Hazdra, P. - Laposa, A. - Šobáň, Z. - Kroutil, J. - Lambert, Nicolas - Povolný, V. - Taylor, Andrew - Mortet, Vincent
Pseudo-vertical Schottky diode with Ruthenium contacts on (113) boron-doped homoepitaxial diamond layers.
Physica Status Solidi A. Roč. 220, č. 23 (2023), č. článku 2300508. ISSN 1862-6300. E-ISSN 1862-6319
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR(CZ) GA20-11140S
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab II - 90251
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: boron-doped diamond (BDD) * pseudo-vertical Schottky barrier diodes (pVSBDs) * ruthenium (Ru) ohmic contact * ruthenium (Ru) Schottky contact
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 2, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1002/pssa.202300508
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0348945 - 2.0557316 - FZÚ 2023 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Hazdra, P. - Laposa, A. - Šobáň, Zbyněk - Taylor, Andrew - Lambert, Nicolas - Povolný, V. - Kroutil, J. - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Mortet, Vincent
Pseudo-vertical Mo/Au Schottky diodes on {113} oriented boron doped homoepitaxial diamond layers.
Diamond and Related Materials. Roč. 126, June (2022), č. článku 109088. ISSN 0925-9635. E-ISSN 1879-0062
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA20-11140S; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA MŠMT LM2018110
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: diamond * Schottky diodes * boron-doping * molybdenum
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.1, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.109088
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0331353 - 3.0556262 - FZÚ 2023 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Mortet, Vincent - Taylor, Andrew - Davydova, Marina - Jiránek, J. - Fekete, Ladislav - Klimša, Ladislav - Šimek, Daniel - Lambert, Nicolas - Sedláková, Silvia - Kopeček, Jaromír - Hazdra, P.
Effect of substrate crystalline orientation on boron-doped homoepitaxial diamond growth.
Diamond and Related Materials. Roč. 122, Feb (2022), č. článku 108887. ISSN 0925-9635. E-ISSN 1879-0062
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA20-11140S; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab - 90110
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: diamond boron-doping * substrate crystallographic orientation * plasma-enhanced chemical vapor deposition
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.1, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.108887
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0330553 - 4.0556036 - FZÚ 2023 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Hazdra, P. - Laposa, A. - Šobáň, Zbyněk - Voves, J. - Lambert, Nicolas - Davydova, Marina - Povolný, V. - Taylor, Andrew - Mortet, Vincent
Low-resistance ohmic contacts on boron-doped {113} oriented homoepitaxial diamond layers.
Diamond and Related Materials. Roč. 121, Jan (2022), č. článku 108797. ISSN 0925-9635. E-ISSN 1879-0062
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA20-11140S; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab - 90110
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: diamond contacts * boron-doping * chemical vapor deposition * contact resistance
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.1, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.diamond.2021.108797
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0330411 - 5.0541744 - FZÚ 2022 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Mortet, Vincent - Taylor, Andrew - Lambert, Nicolas - Gedeonová, Zuzana - Fekete, Ladislav - Lorinčík, J. - Klimša, Ladislav - Kopeček, Jaromír - Hubík, Pavel - Šobáň, Zbyněk - Laposa, A. - Davydova, Marina - Voves, J. - Pošta, A. - Povolný, V. - Hazdra, P.
Properties of boron-doped (113) oriented homoepitaxial diamond layers.
Diamond and Related Materials. Roč. 111, Jan (2021), č. článku 108223. ISSN 0925-9635. E-ISSN 1879-0062
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA MŠMT LM2018110; GA ČR(CZ) GA20-11140S; GA ČR GA17-05259S
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: boron-doped diamond * electrical properties * (113) oriented epitaxial diamond
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.806, rok: 2021
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.diamond.2020.108223
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0319277 - 6.0396370 - FZÚ 2014 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Hazdra, P. - Oswald, Jiří - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
Light emitting diodes with InAs/GaAsSb self-assembled quantum dot layer embedded in GaAs.
Thin Solid Films. Roč. 543, Sept (2013), 83-87. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dots * electroluminescence * metalorganic vapor phase epitaxy * InAs * GaAsSb * light emitting diodes
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.867, rok: 2013
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0224172 - 7.0391944 - FZÚ 2014 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Zíková, Markéta - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Kubištová, Jana - Kuldová, Karla - Hazdra, P. - Hulicius, Eduard
Type I - type II band alignment of GaAsSb/InAs/GaAs quantum dot heterostructure influenced by dot size and strain reducing layer composition.
Journal of Physics D-Applied Physics. Roč. 46, č. 9 (2013), "095103-1"-"095103-9". ISSN 0022-3727. E-ISSN 1361-6463
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: quantum dot * band alignment * InAs/GaAs * GaAsSb * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.521, rok: 2013
http://iopscience.iop.org/0022-3727/46/9/095103/
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0220900 - 8.0383779 - FZÚ 2013 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Oswald, Jiří - Hazdra, P. - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan
Electro- and photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot structures.
Journal of Physics: Conference Series. Roč. 245, č. 1 (2010), s. 1-5. ISSN 1742-6588. E-ISSN 1742-6596.
[Conference on Quantum Dots 2010. Nottingham, 26.08.2010-30.08.2010]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: electroluminescence * photoluminescence * spectroscopy * InAs QDs
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0213617 - 9.0371379 - FZÚ 2012 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hazdra, P. - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard
Influence of strain reducing layers on electroluminescence and photoluminescence of InAs/GaAs QD structures.
Journal of Crystal Growth. Roč. 315, č. 1 (2011), 110-113. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA MŠMT LC510; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: low dimensional structures * photoluminescence * electroluminescence * low-pressure MOVPE * InAs/GaAs quantum dots * semiconducting III–V materials
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.726, rok: 2011
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0204912 - 10.0367915 - FZÚ 2012 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Hazdra, P. - Oswald, Jiří - Komarnitskyy, V. - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
Self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by different strain reducing layers exhibiting strong photo- and electroluminescence in 1.3 and 1.55 μm bands.
Journal of Nanoscience and Nanotechnology. Roč. 11, č. 8 (2011), s. 6804-6809. ISSN 1533-4880
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dots * MOVPE * InAs * GaAs * photoluminescence * electroluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.563, rok: 2011
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0202422