Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0353704 - FZÚ 2011 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Yoshikawa, A. - Yanagida, T. - Kamada, K. - Yokota, Y. - Pejchal, Jan - Yamaji, A. - Usuki, Y. - Yamamoto, S. - Miyake, M. - Kumagai, K. - Sasaki, K. - dos Santos, T. R. - Baba, M. - Ito, M. - Takeda, M. - Ohuchi, N. - Nikl, Martin
    Positron emission mammography using Pr:LuAG scintillator - fusion of optical material study and systems engineering.
    Optical Materials. Roč. 32, č. 10 (2010), s. 1294-1297. ISSN 0925-3467. E-ISSN 1873-1252
    Grant ostatní: AVČR(CZ) M100100910
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: Pr:LuAG * PET * PEM * scintillator * gamma camera
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.679, rok: 2010
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0192870
     
     
  2. 2.
    0134595 - FZU-D 20030495 RIV JP eng J - Článek v odborném periodiku
    Fejfar, Antonín - Mates, Tomáš - Fojtík, Petr - Ledinský, Martin - Luterová, Kateřina - Stuchlíková, The-Ha - Pelant, Ivan - Kočka, Jan - Baumruk, V. - Macková, Anna - Ito, M. - Ro, K. - Uyama, H.
    Structure and properties of silicon thin films deposited at low substrate temperatures.
    Japanese Journal of Applied Physics. Roč. 42, 8B (2003), s. L987-L989. ISSN 0021-4922. E-ISSN 1347-4065
    Grant CEP: GA ČR GA202/03/0789; GA AV ČR IAA1010316; GA AV ČR IAB2949101
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1048901; CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: a-Si:H * ćc-Si:H * low-temperature growth * plastic substrates * crystallinity * hydrogen * electron transport
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.171, rok: 2003
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032491
     
     
  3. 3.
    0134414 - FZU-D 20030314 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Ito, M. - Ro, K. - Yoneyama, S. - Ito, Y. - Uyama, H. - Mates, Tomáš - Ledinský, Martin - Luterová, Kateřina - Fojtík, Petr - Stuchlíková, The-Ha - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan
    Silicon thin films deposited at very low substrate temperatures.
    Thin Solid Films. Roč. 442, - (2003), s. 163-166. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: amorphous materials * microcrystal-Si * chemical vapor deposition(CVD)
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.598, rok: 2003
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032317
     
     
  4. 4.
    0134047 - FZU-D 20020335 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Mates, Tomáš - Fejfar, Antonín - Drbohlav, Ivo - Rezek, Bohuslav - Fojtík, Petr - Luterová, Kateřina - Kočka, Jan - Koch, C. - Schubert, M. B. - Ito, M. - Ro, K. - Uyama, H.
    Role of grains in protocrystalline silicon layers grown at very low substrate temperatures and studied by atomic force microscopy.
    Journal of Non-Crystalline Solids. 299-302, - (2002), s. 767-771. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: protocrystalline silicon layers * atomic force microscopy
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.435, rok: 2002
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031988
     
     
  5. 5.
    0126483 - BFU-R 20013043 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Sýkorová, Eva - Fajkus, Jiří - Ito, M. - Fukui, K.
    Transition between two forms of heterochromatin at plant subtelomeres.
    Chromosome Research. Roč. 9, č. 4 (2001), s. 309-323. ISSN 0967-3849. E-ISSN 1573-6849
    Grant CEP: GA MŠMT VS97032; GA AV ČR KSK5011112
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z5004920
    Klíčová slova: chromatin structure * nucleosome positioning * plant telomeres and subtelomeres
    Kód oboru RIV: BO - Biofyzika
    Impakt faktor: 1.835, rok: 2001
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0024712
     
     
  6. 6.
    0107340 - FZU-D 20040625 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
    Kočka, Jan - Fejfar, Antonín - Mates, Tomáš - Fojtík, Petr - Dohnalová, Kateřina - Luterová, Kateřina - Stuchlík, Jiří - Stuchlíková, The-Ha - Pelant, Ivan - Rezek, Bohuslav - Stemmer, A. - Ito, M.
    The physics and technological aspects of the transition from amorphous to microcrystalline and polycrystalline silicon.
    [Fyzikální a technologické aspekty přechodu mezi amorfním a mikrokrystalickým a polykrystalickým křemíkem.]
    Physica Status Solidi C. Roč. 1, č. 5 (2004), s. 1097-1114. ISSN 1610-1634
    Grant CEP: GA AV ČR IAA1010316; GA AV ČR IAB2949101; GA MŽP SM/300/1/03; GA ČR GA202/03/0789
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: silicon thin films * amorphous/microcrystalline boundary * AFM microscopic study * model of transport * metal-induced crystallization
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0014504
     
     
  7. 7.
    0100532 - FZU-D 20040388 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Ito, M. - Koch, Ch. - Švrček, Vladimír - Schubert, M. B. - Werner, J. H.
    Silicon thin film solar cells deposited under 80o C.
    [Křemíkové tenkovrstvé sluneční články nadeponované při teplotách nižších než 80oC.]
    Thin Solid Films. Roč. 383, - (2001), s. 129-131. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: protocrystalline * low-temperature deposition * annealing * fill factor
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.266, rok: 2001
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0008032
     
     
  8. 8.
    0100334 - FZU-D 20040269 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Luterová, Kateřina - Švrček, Vladimír - Mates, Tomáš - Ledinský, Martin - Ito, M. - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan
    Thin silicon films deposited at low substrate temperatures studied by surface photovoltage technique.
    [Tenké křemíkové vrstvy napařené při nízkých teplotách substrátu studované metodou povrchového fotonapětí.]
    Thin Solid Films. 451-452, - (2004), s. 408-412. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
    Grant CEP: GA ČR GP202/01/D030; GA ČR GA202/03/0789; GA AV ČR IAA1010316; GA AV ČR IAB2949101; GA MŠMT ME 537
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: micro-crystalline Si * low-temperature deposition * surface photovoltage
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.647, rok: 2004
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0007837
     
     
  9. 9.
    0000556 - FZÚ 2006 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Kočka, Jan - Mates, Tomáš - Fojtík, Petr - Ledinský, Martin - Luterová, Kateřina - Stuchlíková, The-Ha - Stuchlík, Jiří - Pelant, Ivan - Fejfar, Antonín - Ito, M. - Ro, K. - Uyama, H.
    Formation of microcrystalline silicon at low temperatures and role of hydrogen.
    [Pěstování mikrokrystalického křemíku při nízkých teplotách a role vodíku.]
    Journal of Non-Crystalline Solids. Roč. 338, - (2004), s. 287-290. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812
    Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IAA1010316; GA AV ČR IAB2949101; GA ČR(CZ) GA202/03/0789
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: microcrystalline silicon * low temperature * hydrogen
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.433, rok: 2004
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0017781
     
     
  10. 10.
    0000498 - FZÚ 2005 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Ito, M. - Ro, K. - Yoneyama, S. - Ito, Y. - Uyama, H. - Mates, Tomáš - Ledinský, Martin - Luterová, Kateřina - Fojtík, Petr - Stuchlíková, The-Ha - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan
    Silicon thin films deposited at very low substrate temperatures.
    [Křemíkové tenké vrystvy připravené za velmi nízkých teplotách podložek.]
    Thin Solid Films. Roč. 442, č. 4 (2003), s. 163-166. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) ME 537
    Klíčová slova: amorphous materials * microcrystal-Si * chemical vapor deposition(CVD)
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.598, rok: 2003
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0017730
     
     


  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.