Výsledky vyhledávání

Nalezeno záznamů: 9  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu + druh.dok = "^cav_un_auth 0012835 zj^"
    1.
    0303374 - URE-Y 980201 RIV BG eng J - Článek v odborném periodiku
    Gladkov, Petar - Monova, E. - Weber, J.
    Photoluminescence characterization of Te-doped GaSb grown by liquid phase epitaxy from Bi melts.
    Annuaire de L'Universite de Sofia St. Kliment Ohridski. Roč. 88, - (1998), s. 33-40. ISSN 0205-1680
    Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IAA167108
    Klíčová slova: photoluminescence * III-V semiconductors
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113620
     
     
    2.
    0303119 - URE-Y 970134 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Gladkov, Petar - Monova, E. - Weber, J.
    Photoluminescence characterization of Te-doped GaSb layers grown by liquid-phase epitaxy from Bi-melts.
    Semiconductor Science and Technology. Roč. 12, č. 11 (1997), s. 1409-1415. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
    Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IAA167108
    Grant ostatní: Deutsche Forschungs Gemeinschaft(DE) 436 TSE 113/22/0
    Klíčová slova: photoluminescence * liquid phase epitaxial growth
    Impakt faktor: 1.141, rok: 1997
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113406
     
     
    3.
    0302990 - URE-Y 970006 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Gladkov, Petar - Žďánský, Karel
    Evidence for photoluminescence band in p-type Al0.67Ga0.33As related to nonequilibrium DX- centres.
    [Evidence fotoluminiscenčního pásu vztaženého k nerovnovážným DX centrům v Al0.67Ga0.33 As typu p.]
    Journal of Luminescence. Vol. 72-74, June (1997), s. 333-335. ISSN 0022-2313. E-ISSN 1872-7883.
    [1996 International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter -ICL'96. Prague, 18.08.1996-23.08.1996]
    Grant CEP: GA AV ČR IAA167108
    Klíčová slova: photoluminescence * III-V semiconductors
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 0.942, rok: 1997
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113279
     
     
    4.
    0302937 - URE-Y 960070 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Žďánský, Karel - Jones, B. K. - Santana, J. - Sloan, T.
    Numerical analysis of charge transport in semi-insulating GaAs with two contacts.
    Journal of Applied Physics. Roč. 79, č. 7 (1996), s. 3611-3618. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
    Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IAA167108
    Grant ostatní: EU PECO(XE) ERB3561PL933023
    Klíčová slova: III-V semiconductors * semiconductor devices
    Impakt faktor: 1.812, rok: 1996
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113226
     
     
    5.
    0302936 - URE-Y 960069 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Gladkov, Petar - Žďánský, Karel
    Evidence for photoluminescence band in p-type Al0.67Ga0.33As related to nonequilibrium DX- centers.
    Journal of Applied Physics. Roč. 80, č. 5 (1996), s. 3004-3010. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
    Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IAA167108
    Klíčová slova: photoluminescence * deep levels * III-V semiconductors
    Impakt faktor: 1.812, rok: 1996
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113225
     
     
    6.
    0302748 - URE-Y 950067 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Žďánský, Karel
    Temperature Dependence of Equilibrium Electron Density in AlGaAs Governed by Sn-related DX centers.
    [Teplotní závislost rovnovážné elektronové hustoty v AlGaAs řízená DX centry vztaženými k Sn.]
    Applied Physics Letters. Roč. 65, č. 15 (1994), s. 1933-1934. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
    Grant CEP: GA AV ČR IAA167108
    Klíčová slova: capacitance * electron density
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 3.072, rok: 1994
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113095
     
     
    7.
    0302597 - URE-Y 940121 US eng J - Článek v odborném periodiku
    Žďánský, Karel
    Temperature dependence of equilibrium electron density in AlGaAs governed by Sn-related DX centers.
    Applied Physics Letters. Roč. 65, č. 15 (1994), s. 1933-1934. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
    Grant ostatní: GA AV(CZ) IAA167108
    Klíčová slova: semiconductor doping * impurities
    Impakt faktor: 3.072, rok: 1994
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112975
     
     
    8.
    0302443 - URE-Y 930052 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Žďánský, Karel - Peaker, A. R.
    Low-temperature decay of photocapacitance caused by Sn-related DX centers in AlxGa1-xAs.
    [Nízkoteplotní zánik fotokapacity v AlGaAs způsobené DX centry vztaženými k Sn v AlxGa1-xAs.]
    Applied Physics Letters. Roč. 62, č. 12 (1993), s. 1393-1395. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
    Grant CEP: GA AV ČR IAA167108
    Klíčová slova: semiconductor doping
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 3.503, rok: 1993
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112862
     
     
    9.
    0302423 - URE-Y 930032 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
    Double peak spectra in spontaneous edge electroluminescence.
    [Dvouvrcholová spektra ve spontánní hranové elektroluminiscenci.]
    Solid-State Electronics. Roč. 36, č. 11 (1993), s. 1623-1632. ISSN 0038-1101. E-ISSN 1879-2405
    Grant CEP: GA AV ČR IAA167108
    Klíčová slova: light emitting diodes * electroluminescence * optical waveguide theory
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 0.871, rok: 1993
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112842
     
     


  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.

Přijmout všeNastaveníOdmítnout vše