Výsledky vyhledávání
- 1.0132383 - FZU-D 990331 RIV IL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Mareš, Jiří J. - Krištofik, Jozef - Hubík, Pavel - Cukr, Miroslav
Penetration of electric field through the two-dimensional electron gas in quantum Hall regime.
24 th International Conference on the Physics of Semiconductors. Jerusalem, 1999 - (Gershoni, D.), s. 1. ISBN 981-02-3613-1.
[International Conference on tne Physics of Semiconductors/24./. Jerusalem (IL), 02.08.1998-07.08.1998]
Grant CEP: GA ČR GA202/96/0021; GA AV ČR IAA1010806
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030410 - 2.0131665 - FZU-D 980157 RIV NL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Mareš, Jiří J. - Krištofik, Jozef - Hubík, Pavel - Novák, J. - Hasenehrl, S.
Temperature dependent quasiplateaux of Hall effect in multi-delta-layers.
0-7923-5013-8. In: Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Heterostructure Epitaxy and Devices. Dodrecht: Kluwer Academic Publishers, 1998 - (Novák, J.), s. 75-78. NATO Sciences Series.
[International Workshop on Heterostructure Epitaxy and Devices /3./ (SK), 12.10.1997-16.10.1997]
Grant CEP: GA ČR GA202/96/0021; GA ČR GA202/94/0901
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0029721 - 3.0131608 - FZU-D 980672 RIV DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Morawetz, K. - Špička, Václav - Lipavský, Pavel
Formation of correlations in srongly coupled plasmas.
Proceedings of the I./V. Workshop on Nonequilibrium Physics at Short time Scales. Rostock: Universitaetsdruckerei, 1998, s. 43-46. ISBN 3-86009-147-6.
[Workshop on Nonequilibrium Physics at Short Time Scales /I.-V./. Rostock (DE), 00.01.1994-00.05.1998]
Grant CEP: GA ČR GA202/96/0098; GA ČR GA202/96/0021
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0029666 - 4.0131221 - FZU-D 970087 RIV SG eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Zeman, Jan - Martinez, G. - Yu, P. Y. - Uchida, K.
Magnetic field dependence of up-converted photoluminescence in partially ordered GaInP2/GaAs up to 23T.
The Physics of Semiconductors. Singapore: World Scientific, 1996 - (Scheffler, M.; Zimmermann, R.), s. 493-496
[International Conference on the Physics of Semiconductors /23./. Berlin (DE), 21.07.1996-26.07.1996]
Grant CEP: GA ČR GA202/96/0021
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0029303