Výsledky vyhledávání
- 1.0130924 - FZU-D 960275 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Terziev, Nikolay - Hubík, Pavel - Krištofik, Jozef - Mareš, Jiří J. - Šmíd, Václav - Yakovlev, Y. P.
DX center in AlGaAsSb: Te and a mechanism of its ionization.
Journal of Applied Physics. Roč. 79, č. 5 (1996), s. 2467-2472. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
Grant CEP: GA ČR GA202/93/1160
Impakt faktor: 1.812, rok: 1996
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0029029 - 2.0130636 - FZU-D 950327 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Zeman, Jan - Hubík, Pavel - Krištofik, Jozef - Mareš, Jiří J.
DX center in GaAsP.
Defect and Diffusion Forum. 119-120, - (1995), s. 175-186. ISSN 1012-0386
Grant CEP: GA ČR GA202/93/1160
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0028750 - 3.0130592 - FZU-D 950177 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Zeman, Jan - Zigone, M. - Martinez, G.
Optical investigation of the DX centers in GaAs under hydrostatic pressure.
Physical Review. B. Roč. 51, č. 24 (1995), s. 17551-17560. ISSN 0163-1829
Grant CEP: GA ČR GA202/93/1160
Impakt faktor: 2.834, rok: 1995
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0028707 - 4.0130569 - FZU-D 950154 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Mareš, Jiří J. - Feng, X. - Koch, F. - Krištofik, Jozef
Alternating-current excitation of InP based layers.
Applied Physics Letters. Roč. 66, č. 11 (1995), s. 1349-1351. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Grant CEP: GA ČR GA202/93/1160; GA ČR GA102/93/0462
Impakt faktor: 3.029, rok: 1995
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0028687 - 5.0130568 - FZU-D 950153 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Hubík, Pavel - Mareš, Jiří J. - Krištofik, Jozef - Baraldi, A. - Ghezzi, C. - Parisini, A.
Hall and photo-Hall effect measurements on sulphur-doped GaSb.
Semiconductor Science and Technology. Roč. 10, - (1995), s. 455-462. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
Grant CEP: GA ČR GA202/93/1160
Impakt faktor: 1.237, rok: 1995
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0028686 - 6.0130566 - FZU-D 950150 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Zeman, Jan - Zigone, M. - Martinez, G.
DX centers in n-type GaAs under hydrostatic pressure.
Journal of Physics and Chemistry of Solids. Roč. 56, 3/4 (1995), s. 635-638. ISSN 0022-3697. E-ISSN 1879-2553
Grant CEP: GA ČR GA202/93/1160
Impakt faktor: 1.333, rok: 1995
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0000471 - 7.0130357 - FZU-D 940449 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Šestáková, Věra - Štěpánek, Bedřich - Mareš, Jiří J. - Šesták, Jaroslav
Hydrogen passivation of residual acceptors in GaSb single crystals.
Journal of Crystal Growth. Roč. 140, 3/4 (1994), s. 426-428. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA ČR GA202/93/1160
Impakt faktor: 1.561, rok: 1994
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0028490 - 8.0130324 - FZU-D 940624 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Mareš, Jiří J. - Hubík, Pavel - Krištofik, Jozef - Štěpánek, Bedřich - Pekárek, Ladislav
Electrical properties of Mn-doped GaSb.
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. Roč. 28, 1/3 (1994), s. 134-137. ISSN 0921-5107. E-ISSN 1873-4944
Grant CEP: GA ČR GA202/93/1160
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0028457 - 9.0130245 - FZU-D 940496 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Mareš, Jiří J. - Feng, X. - Koch, F. - Kohl, A. - Krištofik, Jozef
Magnetotransport in InP-based dilute single delta-layers.
Physical Review. B. Roč. 50, č. 8 (1994), s. 5213-5220. ISSN 0163-1829
Grant CEP: GA ČR GA202/93/1160
Impakt faktor: 3.187, rok: 1994
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0028386 - 10.0130228 - FZU-D 940070 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Mareš, Jiří J. - Oswald, Jiří - Krištofik, Jozef - Košut, Jaroslav
On the stability of single delta-layer in GaAs.
Solid State Communications. Roč. 89, č. 11 (1994), s. 925-928. ISSN 0038-1098. E-ISSN 1879-2766
Grant CEP: GA ČR GA202/93/1160
Impakt faktor: 1.446, rok: 1994
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0028372