Výsledky vyhledávání
- 1.0105963 - URE-Y 20040123 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Gladkov, Petar - Nohavica, Dušan
Origin of the PL-band characteristic for the GaAs-on-GaInP interface in GaAs/GaInP/GaAs/double heterosructures.
[Interpretace FL spektra z rozhraní GaAs na GaInP v heterostrukturách GaAs/GaInP/GaAs.]
ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Piscataway: IEEE, 2004 - (Osvald, J.; Haščík, Š.), s. 17-20. ISBN 0-7803-8535-7.
[Advanced Semiconductor Devices and Microsystems - ASDAM'04 /5./. Smolenice (SK), 17.10.2004-21.10.2004]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) ME 697
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductors * photoluminescence
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013148 - 2.0030680 - ÚFE 2006 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Jarchovský, Zdeněk
Asymmetric CO pores etching in A3 B5 semiconductors.
[Asymetrie krystalografických pórů v polovodičích A3 B5]
NANO´05. Brno: Brno University of Technology, Faculty of Mechanical Engineering, 2005 - (Šandera, P.), s. 100-105. ISBN 80-214-3085-0.
[NANO '05 - NANEMAT. Brno (CZ), 08.11.2005-10.11.2005]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) ME 697
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: III-V semiconductors * porous semiconductors * indium compounds
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0120391 - 3.0023443 - ÚFE 2006 RIV GB eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Gladkov, Petar - Nohavica, Dušan - Šourek, Zbyněk
Excitonic photoluminescense from InAs(1-x) Bix (x<0.01) epitaxial layers grown by LPE from Bi solvents.
[Excitonová FL u InAsBi pěstovaného epitaxně z kapalné fáze.]
MIOMD-VII. Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices. Lancaster: Lancaster University, 2005, ---.
[MIOMD - Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices /7./. Lancaster (GB), 12.09.2005-14.09.2005]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) ME 697
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: photoluminescence * semiconductors * epitaxial layers
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
http://www.lancs.ac.uk/depts/physics/conf/miomd-7/scope.html
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112085 - 4.0023420 - ÚFE 2006 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Zelinka, Jiří - Dvořák, Martin - Pirov, J.
Micro and nanopores formation in A3 B5 semiconductors.
[Tvorba mikro a nanoporů v polovodičích A3 B5]
Proceedings of the International Conference NANO'2004. Brno: VUTIM, 2004 - (Šandera, P.), s. 176-181. ISBN 80-214-2793-0.
[Nano'04. Brno (CZ), 13.10.2004-15.10.2004]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) ME 610; GA MŠMT(CZ) ME 697
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: III-V semiconductors * porous semiconductors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112062