Výsledky vyhledávání
- 1.0045157 - ÚFE 2007 JP eng A - Abstrakt
Krug, T. - Botha, L. - Shamba, P. - Baisitse, T. R. - Venter, A. - Engelbrecht, J. A. A. - Botha, J. R. - Gladkov, Petar
Electrical and optical properties of undoped and doped MOVPE-grown InAsSb.
[Elektrické a optické vlastnosti nedotovaného a dotovaného InAsSb vypěstovaného metodou MOCVD.]
ICMOVPE - XIII. Abstacts of the International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy. [Tokio]: [Tokio University], 2006. s. 147-148.
[ICMOVPE /13./. 22.05.2006-26.05.2006, Miazaki]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) ME 697
Klíčová slova: semiconductor epitaxial layers * III-V semiconductors * photoluminescence * galvanomagnatic effects
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0137775 - 2.0030238 - ÚFE 2006 RU eng A - Abstrakt
Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Lomov, A. A. - Prohorov, D. Ju.
Porous InP (001) layers: electrochemical preparation and real structure.
[Porezní vrstvy InP (001): elektrochemická příprava a jejich reálná struktura.]
2005 ICMNE - International Conference Micro- and Nanoelectronics. Book of Abstracts. Moscow: [Russian Academy of Sciences], 2005. P2-08.
[2005 ICME. 03.10.2005-07.10.2005, Moscow - Zvenigorod]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) ME 697
Grant ostatní: RFFI(RU) 05-02-17585
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductors * X-ray scattering
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0119997 - 3.0023432 - ÚFE 2006 GB eng A - Abstrakt
Gladkov, Petar - Nohavica, Dušan - Šourek, Zbyněk
Excitonic photoluminescense from InAs(1-x) Bix (x<0.01) epitaxial layers grown by LPE from Bi solvents.
[Excitonová FL u InAsBi pěstovaného epitaxně z kapalné fáze.]
MIOMD-VII. Abstract Booklet. Lancaster: Lancaster University, 2005. 19..
[MIOMD - Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices /7./. 12.09.2005-14.09.2005, Lancaster]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) ME 697
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: photoluminescence * semiconductors * epitaxial layers * MOCVD
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112074 - 4.0023408 - ÚFE 2006 CZ eng A - Abstrakt
Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Jarchovský, Zdeněk
Asymmetric CO pores etching in A3 B5 semiconductors.
[Asymetrie krystalografických pórů v polovodičích A3 B5]
NANO '05. Abstract booklet. Brno: Vysoké učení technické, 2005 - (Šandera, P.). s. 33. ISBN 80-214-3044-3.
[NANO '05 - NANEMAT. 08.11.2005-10.11.2005, Brno]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) ME 697
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: III-V semiconductors * porous semiconductors * indium compounds
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112052