Výsledky vyhledávání
- 1.0320708 - FZÚ 2009 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Dubecký, F. - Zat'ko, B. - Hubík, Pavel - Boháček, P. - Gombia, E. - Chromík, Š.
Study of bulk semi-insulating GaAs radiation detectors: role of ohmic contact metallization in electrical charge transport and detection performance.
[Studium objemových detektorů záření založených na semiizolačním GaAs: role metalizace ohmického kontaktu v transportu elektrického náboje a v detekční účinnosti.]
ASDAM 2008. Piscataway, N.J: IEEE Operation Center, 2008 - (Haščík, Š.; Osvald, J.), 295 - 298. ISBN 978-1-4244-2325-5.
[International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /7./. Smolenice Castle (SK), 12.10.2008-16.10.2008]
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010404
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: radiation detector * semi-insulating GaAs * ohmic contact * work function
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0169501 - 2.0104217 - FZU-D 20040559 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Krištofik, Jozef - Mareš, Jiří J. - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Jurka, Vlastimil - Výborný, Zdeněk - Toušková, J.
Growth-rate induced defects in GaSb.
[Defekty v GaSb vyvolané rychlostí růstu.]
ASDAM 2004. Piscataway, N.J.: IEEE Operation Center, 2004 - (Osvald, J.; Haščík, Š.), s. 259-262. ISBN 0-7803-8535-7.
[International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /5./. Smolenice Castle (SK), 17.10.2004-21.10.2004]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104; GA ČR GA202/03/0410; GA AV ČR IAA1010404
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914; CEZ:MSM 113200002
Klíčová slova: GaSb * metalorganic vapour phase epitaxy * deep leveltransient spectroscopy
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0011494 - 3.0043491 - FZÚ 2007 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Krištofik, Jozef - Mareš, Jiří J. - Výborný, Zdeněk - Leys, M.R. - Boeykens, S.
Deep defects in MOVPE grown SiC/AlGaN/GaN heterostructures.
[Hluboké defekty v heterostrukturách SiC/AlGaN/GaN připravených metodou MOVPE.]
ASDAM´06. Danvers, MA: IEEE, 2006 - (Breza, J.; Donoval, D.; Vavrinský, E.), s. 51-54. ISBN 1-4244-0396-0.
[International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Smolenice Castle (SK), 16.10.2006-18.10.2006]
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IAA1010404
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: deep levels * nitride layers * 4H-SiC
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0136468 - 4.0021144 - FZÚ 2006 RIV HU eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Dózsa, L. - Hubík, Pavel - Tóth, A. L. - Pongracz, A. - Hulicius, Eduard - Koós, A.A. - Oswald, Jiří
Orange-peel effect in In0.2Ga0.8As/GaAs quantum well structure.
[Jev pomerančové kůry ve strukturách In0.2Ga0.8As/GaAs s kvantovou jámou.]
Proceedings of the First Intnl Workhop on Semiconductor Nanocrystals SEMINAMO 2005. Budapest: -, 2005 - (Pödör, P.; Horváth, Z.; Basa, P.), s. 127-130. ISBN 963-7371-19-2.
[SEMINANO2005: First Intnl Workshop on Semiconductor Nanocrystals. Budapest (HU), 10.09.2005-12.09.2005]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA202/03/0410; GA AV ČR(CZ) IAA1010318; GA AV ČR(CZ) IAA1010404
Grant ostatní: OTKA(HU) T035273; OTKA(HU) T049131; EU FP6-SEMINAMO(XE) 505285
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: orange-peel * quantum well * InGaAs/GaAs * capacitance transients
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0110156 - 5.0020690 - FZÚ 2006 RIV HU eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Dózsa, L. - Hubík, Pavel - Tóth, A. L. - Pongracz, A. - Hulicius, Eduard - Koós, A.A.
Nanostructure in In0.2Ga0.8As/GaAs quantum well structure.
[Nanostruktura In0.2Ga0.8As/GaAs s kvantovou jámou.]
Hungarian Nanotechnology Symposium 2005 HUNS2005. Budapest: MTA MFA Budapest, 2005, s. 52-52. ISBN 963 7371 176.
[HUNS 2005. Budapest (HU), 21.03.2005-22.03.2005]
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IAA1010318; GA AV ČR(CZ) IAA1010404; GA ČR GA202/03/0410
Grant ostatní: EU FP6(XE) 505285
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: InGaAs/GaAs * quantum well * electron microscopy * EBIC * capacitance transients
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0109749