Výsledky vyhledávání
- 1.0585874 - FZÚ 2025 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hazdra, P. - Laposa, A. - Šobáň, Zbyněk - Alam, Mahebub - Povolný, V. - Mortet, Vincent
Vertical Schottky diode on (113) oriented homoepitaxial diamond.
Diamond and Related Materials. Roč. 146, June (2024), č. článku 111180. ISSN 0925-9635. E-ISSN 1879-0062
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA20-11140S; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA MŠMT LM2023051
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: diamond * Schottky diode * vertical * boron doped
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.1, rok: 2022
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0353872 - 2.0585191 - FZÚ 2025 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Alam, Mahebub - Hubík, Pavel - Gedeonová, Zuzana - Fekete, Ladislav - Kopeček, Jaromír - Taylor, Andrew - Mortet, Vincent
Thick crack-free {113} epitaxial boron-doped diamond layers for power electronics—Deposition with nitrogen addition and high microwave power.
Applied Physics Letters. Roč. 124, April (2024), č. článku 161904. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR(CZ) GA20-11140S
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: diamond * boron doping * thick
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4, rok: 2022
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0353691