Výsledky vyhledávání
- 1.0582012 - ÚFCH JH 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Chin, H. T. - Wang, D. - Gulo, D. P. - Yao, Y.-Ch. - Yeh, H. - Muthu, J. - Chen, D. R. - Kao, T. - Kalbáč, Martin - Lin, P. - Cheng, C. - Hofmann, M. - Liang, Ch.-T. - Liu, H. L. - Chuang, F.-C. - Hsieh, Y.-P.
Tungsten Nitride (W5N6): An Ultraresilient 2D Semimetal.
Nano Letters. Roč. 24, č. 1 (2023), s. 67-73. ISSN 1530-6984. E-ISSN 1530-6992
Institucionální podpora: RVO:61388955
Klíčová slova: tungsten nitride * semimetal * VLS growth * atomic etch stop * electrode
Obor OECD: Physical chemistry
Impakt faktor: 10.8, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0350142Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0582012.pdf 0 7 MB Vydavatelský postprint vyžádat - 2.0544608 - ÚFCH JH 2022 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Rathore, S. - Patel, Deepak Kumar - Thakur, Mukesh Kumar - Haider, Golam - Kalbáč, Martin - Kruskopf, M. - Liu, Ch.-I. - Rigosi, A. F. - Elmquist, R. E. - Liang, Ch.-T. - Hong, P.-D.
Highly sensitive broadband binary photoresponse in gateless epitaxial graphene on 4H-SiC.
Carbon. Roč. 184, OCT 2021 (2021), s. 72-81. ISSN 0008-6223. E-ISSN 1873-3891
Grant CEP: GA ČR(CZ) GX20-08633X
Institucionální podpora: RVO:61388955
Klíčová slova: silicon carbide * epitaxial graphene * binary response * broadband photodetector
Obor OECD: Physical chemistry
Impakt faktor: 11.307, rok: 2021
Způsob publikování: Omezený přístup
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0321442Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0544608.pdf 4 2 MB Vydavatelský postprint vyžádat 0544608preprint.pdf 1 2.8 MB Autorský preprint povolen