Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0582012 - ÚFCH JH 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Chin, H. T. - Wang, D. - Gulo, D. P. - Yao, Y.-Ch. - Yeh, H. - Muthu, J. - Chen, D. R. - Kao, T. - Kalbáč, Martin - Lin, P. - Cheng, C. - Hofmann, M. - Liang, Ch.-T. - Liu, H. L. - Chuang, F.-C. - Hsieh, Y.-P.
    Tungsten Nitride (W5N6): An Ultraresilient 2D Semimetal.
    Nano Letters. Roč. 24, č. 1 (2023), s. 67-73. ISSN 1530-6984. E-ISSN 1530-6992
    Institucionální podpora: RVO:61388955
    Klíčová slova: tungsten nitride * semimetal * VLS growth * atomic etch stop * electrode
    Obor OECD: Physical chemistry
    Impakt faktor: 10.8, rok: 2022
    Způsob publikování: Omezený přístup
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0350142
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    0582012.pdf07 MBVydavatelský postprintvyžádat
     
     
  2. 2.
    0544608 - ÚFCH JH 2022 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Rathore, S. - Patel, Deepak Kumar - Thakur, Mukesh Kumar - Haider, Golam - Kalbáč, Martin - Kruskopf, M. - Liu, Ch.-I. - Rigosi, A. F. - Elmquist, R. E. - Liang, Ch.-T. - Hong, P.-D.
    Highly sensitive broadband binary photoresponse in gateless epitaxial graphene on 4H-SiC.
    Carbon. Roč. 184, OCT 2021 (2021), s. 72-81. ISSN 0008-6223. E-ISSN 1873-3891
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GX20-08633X
    Institucionální podpora: RVO:61388955
    Klíčová slova: silicon carbide * epitaxial graphene * binary response * broadband photodetector
    Obor OECD: Physical chemistry
    Impakt faktor: 11.307, rok: 2021
    Způsob publikování: Omezený přístup
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0321442
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    0544608.pdf42 MBVydavatelský postprintvyžádat
    0544608preprint.pdf12.8 MBAutorský preprintpovolen
     
     


  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.