Výsledky vyhledávání
- 1.0585820 - FZÚ 2025 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Popelář, Tomáš - Matějka, Filip - Kopenec, Jakub - Morselli, G. - Ceroni, P. - Kůsová, Kateřina
Why do Si quantum dots with stronger fast emission have lower external photoluminescence quantum yield?
Nanoscale Advances. Roč. 6, č. 10 (2024), s. 2644-2655. ISSN 2516-0230. E-ISSN 2516-0230
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA23-05837S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: silicon quantum dots * fast emission * photoluminescence dynamics * quantum yield
Obor OECD: Nano-materials (production and properties)
Impakt faktor: 4.7, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0353492Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0585820.pdf 0 3 MB CC Licence Vydavatelský postprint povolen - 2.0577360 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Popelář, Tomáš - Galář, Pavel - Matějka, Filip - Morselli, G. - Ceroni, P. - Kůsová, Kateřina
Universal radiative lifetimes in the long-lived luminescence of Si quantum dots.
Journal of Physical Chemistry C. Roč. 127, č. 41 (2023), s. 20426-20437. ISSN 1932-7447. E-ISSN 1932-7455
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA23-05837S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: silicon quantum dots * internal quantum yield * photoluminescence lifetime
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.7, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0348594Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0577360.pdf 0 4.4 MB CC licence Vydavatelský postprint povolen - 3.0541771 - FZÚ 2022 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Kůsová, Kateřina - Popelář, Tomáš - Pelant, Ivan - Morselli, G. - Angeloni, S. - Ceroni, P.
Trap-state-induced Becquerel type of photoluminescence decay in DPA-activated silicon nanocrystals.
Journal of Physical Chemistry C. Roč. 125, č. 3 (2021), s. 2055-2063. ISSN 1932-7447. E-ISSN 1932-7455
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR(CZ) GA18-05552S
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: surface modification * silicon nanocrystal * photoluminescence decay
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.177, rok: 2021
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.0c09072
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0319297