Výsledky vyhledávání
- 1.0585874 - FZÚ 2025 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hazdra, P. - Laposa, A. - Šobáň, Zbyněk - Alam, Mahebub - Povolný, V. - Mortet, Vincent
Vertical Schottky diode on (113) oriented homoepitaxial diamond.
Diamond and Related Materials. Roč. 146, June (2024), č. článku 111180. ISSN 0925-9635. E-ISSN 1879-0062
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA20-11140S; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA MŠMT LM2023051
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: diamond * Schottky diode * vertical * boron doped
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.1, rok: 2022
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0353872 - 2.0585191 - FZÚ 2025 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Alam, Mahebub - Hubík, Pavel - Gedeonová, Zuzana - Fekete, Ladislav - Kopeček, Jaromír - Taylor, Andrew - Mortet, Vincent
Thick crack-free {113} epitaxial boron-doped diamond layers for power electronics—Deposition with nitrogen addition and high microwave power.
Applied Physics Letters. Roč. 124, April (2024), č. článku 161904. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR(CZ) GA20-11140S
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: diamond * boron doping * thick
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4, rok: 2022
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0353691 - 3.0578139 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Hazdra, P. - Laposa, A. - Šobáň, Z. - Kroutil, J. - Lambert, Nicolas - Povolný, V. - Taylor, Andrew - Mortet, Vincent
Pseudo-vertical Schottky diode with Ruthenium contacts on (113) boron-doped homoepitaxial diamond layers.
Physica Status Solidi A. Roč. 220, č. 23 (2023), č. článku 2300508. ISSN 1862-6300. E-ISSN 1862-6319
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR(CZ) GA20-11140S
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab II - 90251
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: boron-doped diamond (BDD) * pseudo-vertical Schottky barrier diodes (pVSBDs) * ruthenium (Ru) ohmic contact * ruthenium (Ru) Schottky contact
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 2, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1002/pssa.202300508
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0348945 - 4.0574634 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Sobaszek, M. - Brzhezinskaya, M. - Olejnik, A. - Mortet, V. - Alam, M. - Sawczak, M. - Ficek, M. - Gazda, M. - Weiss, Zdeněk - Bogdanowicz, R.
Highly occupied surface states at deuterium-grown boron-doped diamond interfaces for efficient photoelectrochemistry.
Small. Roč. 19, č. 26 (2023), č. článku 2208265. ISSN 1613-6810. E-ISSN 1613-6829
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA20-11140S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: core-level spectroscopies * deuterium-based plasma * density functional theory (DFT) calculations * polycrystalline diamonds * Raman spectroscopy
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 13.3, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0347693Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0574634.pdf 0 3.7 MB CC licence Vydavatelský postprint povolen - 5.0557316 - FZÚ 2023 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Hazdra, P. - Laposa, A. - Šobáň, Zbyněk - Taylor, Andrew - Lambert, Nicolas - Povolný, V. - Kroutil, J. - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Mortet, Vincent
Pseudo-vertical Mo/Au Schottky diodes on {113} oriented boron doped homoepitaxial diamond layers.
Diamond and Related Materials. Roč. 126, June (2022), č. článku 109088. ISSN 0925-9635. E-ISSN 1879-0062
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA20-11140S; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA MŠMT LM2018110
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: diamond * Schottky diodes * boron-doping * molybdenum
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.1, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.109088
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0331353 - 6.0556262 - FZÚ 2023 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Mortet, Vincent - Taylor, Andrew - Davydova, Marina - Jiránek, J. - Fekete, Ladislav - Klimša, Ladislav - Šimek, Daniel - Lambert, Nicolas - Sedláková, Silvia - Kopeček, Jaromír - Hazdra, P.
Effect of substrate crystalline orientation on boron-doped homoepitaxial diamond growth.
Diamond and Related Materials. Roč. 122, Feb (2022), č. článku 108887. ISSN 0925-9635. E-ISSN 1879-0062
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA20-11140S; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab - 90110
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: diamond boron-doping * substrate crystallographic orientation * plasma-enhanced chemical vapor deposition
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.1, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.108887
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0330553 - 7.0556036 - FZÚ 2023 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Hazdra, P. - Laposa, A. - Šobáň, Zbyněk - Voves, J. - Lambert, Nicolas - Davydova, Marina - Povolný, V. - Taylor, Andrew - Mortet, Vincent
Low-resistance ohmic contacts on boron-doped {113} oriented homoepitaxial diamond layers.
Diamond and Related Materials. Roč. 121, Jan (2022), č. článku 108797. ISSN 0925-9635. E-ISSN 1879-0062
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA20-11140S; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab - 90110
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: diamond contacts * boron-doping * chemical vapor deposition * contact resistance
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.1, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.diamond.2021.108797
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0330411 - 8.0541744 - FZÚ 2022 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Mortet, Vincent - Taylor, Andrew - Lambert, Nicolas - Gedeonová, Zuzana - Fekete, Ladislav - Lorinčík, J. - Klimša, Ladislav - Kopeček, Jaromír - Hubík, Pavel - Šobáň, Zbyněk - Laposa, A. - Davydova, Marina - Voves, J. - Pošta, A. - Povolný, V. - Hazdra, P.
Properties of boron-doped (113) oriented homoepitaxial diamond layers.
Diamond and Related Materials. Roč. 111, Jan (2021), č. článku 108223. ISSN 0925-9635. E-ISSN 1879-0062
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA MŠMT LM2018110; GA ČR(CZ) GA20-11140S; GA ČR GA17-05259S
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: boron-doped diamond * electrical properties * (113) oriented epitaxial diamond
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.806, rok: 2021
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.diamond.2020.108223
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0319277