Výsledky vyhledávání
- 1.0585344 - FZÚ 2025 RIV CZ cze J - Článek v odborném periodiku
Vaněk, Tomáš - Hospodková, Alice - Blažek, K. - Hulicius, Eduard
Hybridní scintilační detektor, založený na vícenásobných kvantových jámách InGaN/GaN, připravených metodou MOVPE s vrstvami scintilátoru BGO.
[A hybrid detector based on MOVPE-grown InGaN/GaN multiple quantum wells with BGO scintillator layers.]
Československý časopis pro fyziku. Roč. 74, č. 1 (2024), s. 13-17. ISSN 0009-0700
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab - 90110
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: scintilátory * BGO * GaN * MOVPE * InGaN/GaN
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Způsob publikování: Omezený přístup
https://ccf.fzu.cz/
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0353063 - 2.0572001 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Hývl, Matěj - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Košutová, Tereza
Electron transport properties in high electron mobility transistor structures improved by V-Pit formation on the AlGaN/GaN interface.
ACS Applied Materials and Interfaces. Roč. 15, č. 15 (2023), s. 19646-19652. ISSN 1944-8244. E-ISSN 1944-8252
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GF22-28001K; GA MŠMT LM2023051
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: HEMT * GaN * AlGaN * metal-organic vapor phase epitaxy * dislocations * electron mobility
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 9.5, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0342845Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0572001.pdf 0 4.8 MB CC Licence Vydavatelský postprint povolen - 3.0570390 - FZÚ 2024 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hubáček, Tomáš - Kuldová, Karla - Gedeonová, Zuzana - Hájek, František - Košutová, Tereza - Banerjee, Swarnendu - Hubík, Pavel - Pangrác, Jiří - Vaněk, Tomáš - Hospodková, Alice
Impact of Ge doping on MOVPE grown InGaN layers.
Journal of Crystal Growth. Roč. 604, Feb (2023), č. článku 127043. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GJ20-05497Y
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: germanium * MOVPE * InGaN * nitrides * photoluminescence * doping
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.8, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.127043
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0341707 - 4.0569330 - FZÚ 2024 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Mareš, Jiří J. - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Kuldová, Karla - Hulicius, Eduard
Electron mobility in GaN layers and HEMT structure optimized by MOVPE technological parameters.
Journal of Crystal Growth. Roč. 605, March (2023), č. článku 127061. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GF22-28001K
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: HEMT * GAN * metalorganic vapor phase epitaxy
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.8, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.127061
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0342034 - 5.0556260 - FZÚ 2023 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Stránská Matějová, J. - Hospodková, Alice - Košutová, T. - Hubáček, Tomáš - Hývl, Matěj - Holý, V.
V-pits formation in InGaN/GaN: influence of threading dislocations and indium content.
Journal of Physics D-Applied Physics. Roč. 55, č. 25 (2022), č. článku 255101. ISSN 0022-3727. E-ISSN 1361-6463
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA MŠMT EF16_026/0008382
Grant ostatní: OP VVV - CARAT CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_026/0008382
Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab - 90110
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: V-pits * InGaN/GaN * dislocations * x-ray diffraction * diffuse scattering * XRD * RSM
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.4, rok: 2022
Způsob publikování: Open access s časovým embargem
https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac5c1a
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0330551Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0556260.pdf 4 11.9 MB Autorský postprint povolen - 6.0543533 - FZÚ 2022 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Hájek, František - Hospodková, Alice - Hubík, Pavel - Gedeonová, Zuzana - Hubáček, Tomáš - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla
Transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures with back barrier: impact of dislocation density and improved design.
Semiconductor Science and Technology. Roč. 36, č. 7 (2021), č. článku 075016. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: HEMT * GaN * metalorganic vapor phase epitaxy
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 2.048, rok: 2021
Způsob publikování: Open access s časovým embargem
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0320728Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0543533.pdf 1 1.1 MB Autorský postprint povolen