Výsledky vyhledávání
- 1.0538098 - ÚFE 2021 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Tiagulskyi, Stanislav - Yatskiv, Roman - Faitová, Hana - Kučerová, Šárka - Roesel, David - Vaniš, Jan - Grym, Jan - Veselý, J.
Highly Rectifying Heterojunctions Formed by Annealed ZnO Nanorods on GaN Substrates.
Nanomaterials. Roč. 10, č. 3 (2020), č. článku 508. E-ISSN 2079-4991
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA17-00546S; GA ČR(CZ) GA17-00355S
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: ZnO nanorods * Nanoscale heterojunctions * Current-voltage characteristics
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
Impakt faktor: 5.076, rok: 2020
Způsob publikování: Open access
https://doi.org/10.3390/nano10030508
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0315911Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0538098.pdf 3 2 MB Jiná vyžádat - 2.0538001 - ÚFE 2021 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Tiagulskyi, Stanislav - Yatskiv, Roman - Faitová, Hana - Kučerová, Šárka - Vaniš, Jan - Grym, Jan
Electrical properties of nanoscale p-n heterojunctions formed between a single ZnO nanorod and GaN substrate.
Materials Science in Semiconductor Processing. Roč. 107, 1 March (2020), č. článku 104808. ISSN 1369-8001. E-ISSN 1873-4081
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA17-00546S; GA ČR(CZ) GA17-00355S
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Current-voltage characteristics * Focused ion beam patterning * Nanoscale heterojunctions * ZnO nanorods
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
Impakt faktor: 3.927, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2019.104808
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0315834Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0538001.pdf 0 1 MB Jiná vyžádat - 3.0537851 - ÚFE 2021 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Yatskiv, Roman - Tiagulskyi, Stanislav - Grym, Jan
Influence of Crystallographic Orientation on Schottky Barrier Formation in Gallium Oxide.
Journal of Electronic Materials. Roč. 49, č. 9 (2020), s. 5133-5137. ISSN 0361-5235. E-ISSN 1543-186X
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA17-00546S
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Gallium oxide * Schottky barrier diode * Graphite/beta-Ga2O3
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
Impakt faktor: 1.938, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1007/s11664-020-07996-0
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0315682Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0537851.pdf 1 428.8 KB Jiná vyžádat - 4.0507811 - ÚFE 2020 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Yatskiv, Roman - Tiagulskyi, Stanislav - Grym, Jan
Characterization of Graphite/ZnO Schottky Barriers Formed on Polar and Nonpolar ZnO Surfaces.
Physica Status Solidi A. Roč. 216, č. 2 (2019), č. článku 1800734. ISSN 1862-6300. E-ISSN 1862-6319
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA17-00546S
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: graphite * crystal polarity * equivalent circuit
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
Impakt faktor: 1.759, rok: 2019
Způsob publikování: Omezený přístup
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pssa.201800734
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0298779Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0507811.pdf 8 973.9 KB Jiná vyžádat - 5.0499951 - ÚFE 2020 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Bašinová, Nikola - Černohorský, Ondřej - Grym, Jan - Kučerová, Šárka - Faitová, Hana - Yatskiv, Roman - Vaniš, Jan - Veselý, J. - Maixner, J.
Highly Textured Seed Layers for the Growth of Vertically Oriented ZnO Nanorods.
Crystals. Roč. 9, č. 11 (2019), č. článku 566. ISSN 2073-4352. E-ISSN 2073-4352
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA17-00355S
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Annealing * Nanorods * Preheating * Seed layer * Zinc oxide * Sol-gel
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 2.404, rok: 2019
Způsob publikování: Open access
https://www.mdpi.com/2073-4352/9/11/566
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0292134Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0499951.pdf 3 7.8 MB Jiná vyžádat UFE 0499951.pdf 5 1 MB Jiná vyžádat - 6.0499943 - ÚFE 2019 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Yatskiv, Roman - Grym, Jan
Influence of the Interaction Between Graphite and Polar Surfaces of ZnO on the Formation of Schottky Contact.
Journal of Electronic Materials. Roč. 47, č. 9 (2018), s. 5002-5006. ISSN 0361-5235. E-ISSN 1543-186X.
[17th Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP). Valladolid, 08.10.2018-12.10.2018]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA17-00546S; GA ČR(CZ) GA15-17044S
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: metal-insulator-semiconductor * graphite-ZnO interfaces * Schottky contact
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
Impakt faktor: 1.676, rok: 2018
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0292125Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0499943.pdf 1 318.1 KB Jiná vyžádat - 7.0499935 - ÚFE 2019 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Tiagulskyi, Stanislav - Yatskiv, Roman - Grym, Jan
Electrical Characterization of Graphite/InP Schottky Diodes by I-V-T and C-V Methods.
Journal of Electronic Materials. Roč. 47, č. 9 (2018), s. 4950-4954. ISSN 0361-5235. E-ISSN 1543-186X.
[17th Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP). Valladolid, 08.10.2018-12.10.2018]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA17-00546S
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Carbon-based Schottky diodes * current–voltage measurements * capacitance–voltage measurements
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
Impakt faktor: 1.676, rok: 2018
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0292119Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0499935.pdf 2 733.3 KB Jiná vyžádat - 8.0484810 - ÚFE 2019 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Yatskiv, Roman - Tiagulskyi, Stanislav - Grym, Jan - Černohorský, Ondřej
Electrical and Optical Properties of Rectifying ZnO Homojunctions Fabricated by Wet Chemistry Methods.
Physica Status Solidi A. Roč. 215, č. 2 (2018), č. článku 1700592. ISSN 1862-6300. E-ISSN 1862-6319
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA17-00546S; GA ČR(CZ) GA15-17044S
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Rectifying ZnO homojunctions * Photoluminescence * N-type nanorods
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
Impakt faktor: 1.606, rok: 2018
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0279944Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0484810.pdf 6 1.4 MB Jiná vyžádat - 9.0484796 - ÚFE 2018 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Yatskiv, Roman - Grym, Jan
Graphite/SiC junctions and their electrical characteristics.
Physica Status Solidi A. Roč. 214, č. 9 (2017), č. článku 1700143. ISSN 1862-6300. E-ISSN 1862-6319
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA17-00546S
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Silicon carbide * Barrier homogeneities * Graphite
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
Impakt faktor: 1.795, rok: 2017
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0279938Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0484796.pdf 4 681.7 KB Jiná vyžádat