Výsledky vyhledávání
- 1.0519848 - FZÚ 2020 RIV cze P - Patentový dokument
Hospodková, Alice - Dominec, Filip
Epitaxní vícevrstvá struktura pro tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů na bázi GaN a tranzistor obsahující tuto strukturu.
[Epitaxial multilayer structure for GaN-based high electron mobility transistors and a transistor containing this structure.]
2019. Vlastník: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Datum udělení patentu: 25.07.2019. Číslo patentu: 307942
Grant CEP: GA TA ČR TH02010014
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: HEMT * GaN * AlGaN
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307942.pdf
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0304832