Výsledky vyhledávání
- 1.0569418 - FZÚ 2023 RIV FR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Bulgakova, Nadezhda M. - Volodin, V.A. - Cheng, Y. - Levy, Yoann - Beránek, Jiří - Nagisetty, Siva S. - Zukerstein, Martin - Popov, A. A. - Bulgakov, Alexander
Selective ultrashort laser annealing of amorphous Ge/Si multilayer stacks.
EPJ Web of Conferences. Vol. 266. Les Ulis: EDP Science, 2022, č. článku 06012. E-ISSN 2100-014X.
[EOS Annual Meeting (EOSAM 2022). Porto (PT), 12.09.2022-16.09.2022]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: laser crystallization * femtosecond and picosecomd laser * Raman scattering technique
Obor OECD: Optics (including laser optics and quantum optics)
https://www.epj-conferences.org/articles/epjconf/pdf/2022/10/epjconf_eosam2022_06012.pdf
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0340742 - 2.0556457 - FZÚ 2023 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Volodin, V.A. - Krivyakin, G.K. - Bulgakov, Alexander - Levy, Yoann - Beránek, Jiří - Nagisetty, Siva S. - Bryknar, Z. - Bulgakova, Nadezhda M. - Geydt, P.V. - Popov, A. A.
Picosecond infrared laser crystallization of Ge layers in Ge/Si multi-nanolayers for optoelectronic applications.
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. Bellingham: SPIE, 2022 - (Lukichev, V.; Rudenko, K.), č. článku 1215702. 12157. ISSN 0277-786X.
[International Conference on Micro- and Nano-Electronics /14./. Zvenigorod (RU), 04.10.2021-08.10.2021]
Grant CEP: GA MŠMT EF15_003/0000445; GA MŠMT EF15_006/0000674; GA MŠMT LO1602
Grant ostatní: OP VVV - BIATRI(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/15_003/0000445; OP VVV - HiLASE-CoE(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/15_006/0000674
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: Ge/Si multi-nanolayers * picosecond infrared pulsed laser annealing * Raman spectroscopy * nonlinear efffects in light absorption
Obor OECD: Optics (including laser optics and quantum optics)
https://www.spiedigitallibrary.org/conference-proceedings-of-spie/12157/2622731/Picosecond-infrared-laser-crystallization-of-Ge-layers-in-Ge-Si/10.1117/12.2622731.short
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0330692 - 3.0511648 - FZÚ 2020 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Volodin, V.A. - Cherkova, S.G. - Kumar, V. - Sachkov, V.A. - Mortet, Vincent - Taylor, Andrew - Remeš, Zdeněk - Stuchlíková, The-Ha - Stuchlík, Jiří
Nanocrystalline diamond films heavily doped by boron: structure, optical and electrical properties.
International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018. Bellingham: SPIE, 2019 - (Lukichev, V.; Rudenko, K.), s. 1-10, č. článku 110221G. Proceedings of SPIE, 11022. ISBN 978-1-5106-2709-3. ISSN 0277-786X.
[International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018. Zvenigorod (RU), 01.10.2018-05.10.2018]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR GA17-05259S; GA MŠMT(CZ) LTC17029; GA AV ČR(CZ) Fellowship J. E. Purkyně
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760; AV ČR(CZ) Fellowship J. E. Purkyně
Program: Fellowship J. E. Purkyně
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: nanocrystalline boron doped diamond films * Raman scattering * phonon confinement * Fano interference
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0301880 - 4.0484339 - ÚACH 2018 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Stuchlík, J. - Volodin, V.A. - Shklyaev, A.A. - Stuchlikova, T.H. - Ledinsky, M. - Čermák, J. - Kupčík, Jaroslav - Fajgar, R. - Mortet, V. - More-Chevalier, J. - Ashcheulov, P. - Purkrt, A. - Remeš, Z.
The deposition of germanium nanoparticles on hydrogenated amorphous silicon.
NANOCON 2016 8th International Conference on Nanomaterials - Research & Application. Conference proceedings. Ostrava: TANGER Ltd., 2017, s. 133-137. ISBN 978-80-87294-71-0.
[NANOCON 2016. International Conference on Nanomaterials - Research and Application /8./. Brno (CZ), 19.10.2016-21.10.2016]
Institucionální podpora: RVO:61388980
Klíčová slova: Ge nanoparticles * a-Si:H * PECVD * MBE
Obor OECD: Inorganic and nuclear chemistry
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0279492 - 5.0478395 - FZÚ 2018 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Stuchlík, Jiří - Volodin, V.A. - Shklyaev, A.A. - Stuchlíková, The-Ha - Ledinský, Martin - Čermák, Jan - Kupčík, Jaroslav - Fajgar, Radek - Mortet, Vincent - More Chevalier, Joris - Ashcheulov, Petr - Purkrt, Adam - Remeš, Zdeněk
The deposition of germanium nanoparticles on hydrogenated amorphous silicon.
NANOCON 2016 8th International Conference on Nanomaterials - Research & Application. Conference proceedings. Ostrava: TANGER Ltd., 2017, s. 133-137. ISBN 978-80-87294-71-0.
[NANOCON 2016. International Conference on Nanomaterials - Research and Application /8./. Brno (CZ), 19.10.2016-21.10.2016]
Grant CEP: GA ČR GA13-12386S; GA ČR GA13-31783S
Grant ostatní: AV ČR(CZ) KONNECT-007
Program: Bilaterální spolupráce
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985858
Klíčová slova: Ge nanoparticles * a-Si:H * PECVD * MBE
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.); Physical chemistry (UCHP-M)
https://www.nanocon.eu/cz/sbornik-nanocon-2016/
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0274527 - 6.0471134 - FZÚ 2017 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Volodin, V.A. - Krivyakin, G.K. - Shklyaev, A.A. - Kochubei, S.A. - Kamaev, G.N. - Dvurechendkii, A.V. - Purkrt, Adam - Remeš, Zdeněk - Fajgar, Radek - Stuchlíková, The-Ha - Stuchlík, Jiří
Hydrogenated amorphous silicon based p-i-n structures with Si and Ge nanocrystals in i-layers.
International Conference on Micro- and Nanoelectronics - 2016. ICMNE 2016. Bellingham: SPIE, 2016 - (Neuenschwander, B.; Roth, S.; Grigoropoulos, C.; Makimura, T.), s. 1-12, č. článku 102240D. Proceedings of SPIE, 9735. ISBN 978-151060949-5. ISSN 0277-786X.
[International Conference on Micro- and Nanoelectronics 2016. ICMNE 2016. Zvenigorod (RU), 03.10.2016-07.10.2016]
Grant CEP: GA ČR GA13-12386S; GA ČR GA13-31783S
Grant ostatní: AV ČR(CZ) KONNECT-007
Program: Bilaterální spolupráce
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985858
Klíčová slova: nanocrystals * amorphous silicon * electroluminescence * electron microscopy * germanium
Obor OECD: Particles and field physics
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0268586