Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0471296 - FZÚ 2017 RIV DE eng A - Abstrakt
    Supplie, O. - Brückner, S. - May, M.M. - Kleinschmidt, P. - Nägelein, A. - Paszuk, A. - Romanyuk, Olexandr - Grosse, F. - Hannappel, T.
    GaP-on-Si heterointerfaces and quasisubstrate growth studied in situ during MOVPE.
    GCCCG-1/DKT2016. Dresden: TU Dresden, 2016. s. 40.
    [German Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1) /1./. 16.03.2016-18.03.2016, Dresden]
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: GaP/Si * MOVPE * heterointerface
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0268689
     
     
  2. 2.
    0471036 - FZÚ 2017 RIV DE eng A - Abstrakt
    Pejchal, Jan - Král, Robert - Kurosawa, S. - Kamada, K. - Babin, Vladimir - Beitlerová, Alena - Kučerková, Romana - Yoshikawa, A. - Nikl, Martin
    Growth of scintillation crystals by micro-pulling-down method.
    GCCCG-1/DKT2016. Dresden: TU Dresden, 2016. s. 43.
    [German Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1) /1./. 16.03.2016-18.03.2016, Dresden]
    Grant CEP: GA ČR GJ15-18300Y
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: scintillators * crystal growth * micro-pulling-down method
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0268511
     
     
  3. 3.
    0469423 - FZÚ 2017 RIV DE eng A - Abstrakt
    Kožíšek, Zdeněk
    Crystal nucleation kinetics in confined systems.
    GCCCG-1/DKT2016. Dresden: TU Dresden, 2016. s. 61.
    [German Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1) /1./. 16.03.2016-18.03.2016, Dresden]
    Grant CEP: GA MŠMT LD15004
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: nucleation * phase transition
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0267205
     
     
  4. 4.
    0464508 - FZÚ 2017 RIV DE eng A - Abstrakt
    Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Oswald, Jiří
    Origin of the yellow luminescence band in nitride based semiconductors prepared by the MOVPE technology.
    GCCCG-1/DKT2016. Dresden: TU Dresden, 2016. s. 99.
    [German Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1) /1./. 16.03.2016-18.03.2016, Dresden]
    Grant CEP: GA ČR GA16-11769S; GA MŠMT LO1603
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: yellow band luminescence * GaN * InGaN * AlGaN * MOVPE
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0263391
     
     
  5. 5.
    0463790 - FZÚ 2017 RIV DE eng A - Abstrakt
    Král, Robert - Jarý, Vítězslav - Šulc, J. - Jelínková, H. - Nitsch, Karel - Bystřický, Aleš - Zemenová, Petra - Nikl, Martin
    Growth and luminescence study of RE-doped rubidium lead chloride single crystals prepared by vertical Bridgman method.
    GCCCG-1/DKT2016. Dresden: TU Dresden, 2016. s. 65.
    [German Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1) /1./. 16.03.2016-18.03.2016, Dresden]
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: rubidium lead chloride * RE doping * Bridgman method * crystal growth * luminescence
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0262885
     
     
  6. 6.
    0463746 - FZÚ 2017 RIV DE eng A - Abstrakt
    Hospodková, Alice - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Zíková, Markéta - Vyskočil, Jan - Kuldová, Karla - Melichar, Karel - Hubáček, Tomáš - Walachová, J. - Vaniš, J. - Křápek, V. - Humlíček, J. - Nikl, Martin - Pacherová, Oliva - Brůža, P. - Pánek, D. - Foltynski, B. - Oeztuerk, M. - Heuken, M. - Hulicius, Eduard
    Nanostructures grown by MOVPE InAs/InGaAs/Ga(Sb)As quantum dot and GaN/InGaN quantum well structures.
    GCCCG-1/DKT2016. Dresden: TU Dresden, 2016. s. 38.
    [German Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1) /1./. 16.03.2016-18.03.2016, Dresden]
    Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA MŠMT(CZ) LM2011026
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: MOVPE * InAs quantum dot * GaAsSb SRL * GaInN quantum well * GaN * GaAs
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0262837
     
     
  7. 7.
    0463677 - FZÚ 2017 RIV DE eng A - Abstrakt
    Hospodková, Alice - Zíková, Markéta - Hubáček, Tomáš - Kuldová, Karla - Oswald, Jiří
    InGaN/GaN MQWs for scintillators perspectives and problems.
    GCCCG-1/DKT2016. Dresden: TU Dresden, 2016. s. 101.
    [German Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1) /1./. 16.03.2016-18.03.2016, Dresden]
    Grant CEP: GA ČR GA16-11769S
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: MOVPE * GaInN multiple quantum well * GaN * scintillator
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0262785
     
     


  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.