Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0440959 - FZÚ 2015 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Náhlík, J. - Šobáň, Zbyněk - Voves, J. - Jurka, Vlastimil - Vašek, Petr
    SiC graphene FET with polydimethylglutharimide as a gate dielectric layer.
    ASDAM 2014- Conference Proceedings: The 10th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Bratislava: Slovak University of Technology, 2014 - (Breza, J.; Donoval, D.; Vavrinsky, E.), s. 33-36. ISBN 978-1-4799-5474-2.
    [International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /10./. Smolenice (SK), 20.10.2014-22.10.2014]
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GAP108/11/0894
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: FET * SiC * graphene
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0244030
     
     
  2. 2.
    0439987 - FZÚ 2015 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Dubecký, F. - Zat'ko, B. - Vanko, G. - Hubík, Pavel - Oswald, Jiří - Kindl, Dobroslav - Gombia, E. - Kováč, J. - Šagátová, A. - Nečas, V.
    M/SI-GaAs/M diode: Role of the metal contact in electrical transport, α-particle and photon detection.
    ASDAM 2014- Conference Proceedings: The 10th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Bratislava: Slovak University of Technology, 2014 - (Breza, J.; Donoval, D.; Vavrinsky, E.), s. 49-52. ISBN 978-1-4799-5474-2.
    [International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /10./. Smolenice (SK), 20.10.2014-22.10.2014]
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: current-voltage measurements * GaAs * radiation detectors
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0243147
     
     
  3. 3.
    0436952 - FZÚ 2015 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Vanko, G. - Vojs, M. - Ižák, Tibor - Potocký, Štěpán - Choleva, P. - Marton, M. - Rýger, I. - Dzuba, J. - Lalinský, T.
    AlGaN/GaN micromembranes with diamond coating for high electron mobility transistors operated at high temperatures.
    ASDAM 2014- Conference Proceedings: The 10th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Bratislava: Slovak University of Technology, 2014 - (Breza, J.; Donoval, D.; Vavrinsky, E.), s. 263-266. ISBN 978-1-4799-5474-2.
    [International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /10./. Smolenice (SK), 20.10.2014-22.10.2014]
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-16549P
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: GaN membranes * diamond films * thermal management * MWCVD * SEM
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0240548
     
     
  4. 4.
    0436880 - FZÚ 2015 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Mikolášek, M. - Vojs, M. - Varga, Marián - Babchenko, Oleg - Ižák, Tibor - Marton, M. - Kromka, Alexander - Harmatha, L.
    Electrical characterization of diamond films deposited in nitrogen and oxygen containing gas mixture.
    ASDAM 2014- Conference Proceedings: The 10th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Bratislava: Slovak University of Technology, 2014 - (Breza, J.; Donoval, D.; Vavrinsky, E.), s. 37-40. ISBN 978-1-4799-5474-2.
    [International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /10./. Smolenice (SK), 20.10.2014-22.10.2014]
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GBP108/12/G108
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: diamond films * nitrogen doping * Raman spectroscopy * electrical measurements
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0240510
     
     


  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.