Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0451749 - FZÚ 2016 ES eng A - Abstrakt
    Kleinschmidt, P. - Mutombo, Pingo - Romanyuk, Olexandr - Himmerlich, M. - Berthold, T. - Zhao, W. - Nägelein, A. - Steidl, M. - Paszuk, A. - Brückner, S. - Supplie, O. - Krischok, S. - Hannappel, T.
    Investigation of MOVPE-prepared GaP(111)B by surface analytics and ab initio DFT calculations.
    European Conference on Surface Science (ECOSS31). Book of Abstracts. Barcelona: ECOSS31, 2015. s. 555.
    [European Conference on Surface Science (ECOSS31). 31.08.2015-04.09.2015, Barcelona]
    Grant ostatní: AVČR(CZ) M100101201
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: GaP(111) * MOVPE * surface reconstruction
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0252850
     
     
  2. 2.
    0451744 - FZÚ 2016 ES eng A - Abstrakt
    Romanyuk, Olexandr - Fernández-Garrido, S. - Jiříček, Petr - Bartoš, Igor - Geelhaar, L. - Brandt, O. - Paskova, T.
    Polarity of polar and semipolar GaN by X-ray photoelectron diffraction.
    European Conference on Surface Science (ECOSS31). Book of Abstracts. Barcelona: ECOSS31, 2015. s. 549.
    [European Conference on Surface Science (ECOSS31). 31.08.2015-04.09.2015, Barcelona]
    Grant ostatní: AVČR(CZ) M100101201
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: GaN * semipolar surfaces * photoelectron diffraction
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0252849
     
     
  3. 3.
    0432647 - FZÚ 2015 eng A - Abstrakt
    Supplie, O. - Brückner, S. - Romanyuk, Olexandr - Kleinschmidt, P. - Döscher, H. - Grosse, F. - Hannappel, T.
    In situ RAS and ab initio DFT study of GaP/Si(100) interface structures.
    DPG Spring Meeting. Dresden: Deutsche Physikalische Gesellschaft, 2014 - (Nunner, B.)
    [DPG Spring Meeting. 30.03.2014-04.04.2014, Dresden]
    Grant ostatní: AVČR(CZ) M100101201
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: RAS * DFT * GaP/Si(100)
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0237031
     
     
  4. 4.
    0424922 - FZÚ 2014 KR eng A - Abstrakt
    Romanyuk, Olexandr - Hannappel, T. - Grosse, F.
    GaP/Si Heterointerface Structure Studied by Density Functional Theory.
    The 14th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces ICFSI-14.. Gyeongju: ICFSI, 2013. s. 33-33.
    [International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces /14./, ICFSI-14. 30.06.2013-05.07.2013, Gyeongju]
    Grant ostatní: AVČR(CZ) M100101201
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: GaP(111) * ab initio DFT * heterointerface structure * MOCVD
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0230912
     
     
  5. 5.
    0420860 - FZÚ 2014 FR eng A - Abstrakt
    Mutombo, Pingo - Romanyuk, Olexandr
    Ab initio study of non-polar and semipolar GaN surfaces.
    International Vacuum Congress /19./ Abstracts. Paris: IUVSTA, 2013. s. 1707-1708.
    [International Vacuum Congress /19./. 09.09.2013-13.09.2013, Paris]
    Grant ostatní: AVČR(CZ) M100101201
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: gallium * optoelectronic * non-polar * GaN
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0227328
     
     
  6. 6.
    0420859 - FZÚ 2014 FR eng A - Abstrakt
    Romanyuk, Olexandr - Jiříček, Petr - Paskova, T. - Bartoš, Igor
    GaN surface polarity determination by photoelectron diffraction.
    International Vacuum Congress /19./ Abstracts. Paris: IUVSTA, 2013. s. 68-69.
    [International Vacuum Congress /19./. 09.09.2013-13.09.2013, Paris]
    Grant ostatní: AVČR(CZ) M100101201
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: GaN * nitride * semipolar * photoelectron
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0227329
     
     


  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.