Výsledky vyhledávání
- 1.0484348 - FZÚ 2018 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Vyskočil, Jan - Zíková, Markéta - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Petříček, Otto
GaAsSb-capped InAs QD type-II solar cell structures improvement by composition profiling of layers surrounding QD.
Materials Research Express. Roč. 4, č. 2 (2017), s. 1-8, č. článku 025502. E-ISSN 2053-1591
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA MŠMT(CZ) LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaAsSb * InAs * InGaAs * quantum dot * solar cells * MOVPE
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.151, rok: 2017
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0279501 - 2.0474050 - FZÚ 2018 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Vyskočil, Jan - Hospodková, Alice - Petříček, Otto - Pangrác, Jiří - Zíková, Markéta - Oswald, Jiří - Vetushka, Aliaksi
GaAsSb/InAs/(In)GaAs type II quantum dots for solar cell applications.
Journal of Crystal Growth. Roč. 464, Apr (2017), s. 64-68. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA MŠMT LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InAs * GaAsSb * InGaAs * quantum dot * solar cells
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.742, rok: 2017
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0271148 - 3.0458379 - FZÚ 2017 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla - Zíková, Markéta - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard
Growth and properties of the MOVPE GaAs/InAs/GaAsSb quantum dot structures.
Physica B-Condensed Matter. Roč. 480, Jan (2016), 14-22. ISSN 0921-4526. E-ISSN 1873-2135
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: quantum dot * band alignment * InAs/GaAs * GaAsSb * MOVPE * luminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.405, rok: 2016
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0258645 - 4.0447828 - FZÚ 2016 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Zíková, Markéta - Oswald, Jiří - Komninou, Ph. - Hulicius, Eduard
Growth of InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb in multiple structures studied by reflectance anisotropy spectroscopy.
Journal of Crystal Growth. Roč. 414, Mar (2015), s. 156-160. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * InAs/GaAs MQD * GaAsSb SRL * RAS
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.462, rok: 2015
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0249602 - 5.0447827 - FZÚ 2016 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Vyskočil, Jan - Gladkov, Petar - Petříček, Václav - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří
Growth and properties of AIII BV QD structures for intermediate band solar cells.
Journal of Crystal Growth. Roč. 414, č. 172 (2015), s. 172-176. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985882
Klíčová slova: metalorganic vapor phase epitaxy * InAs/GaAs Quantum dots * GaAsSb Strain reducing layer * solar cells
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.462, rok: 2015
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0249601