Výsledky vyhledávání
- 1.0466101 - FZÚ 2017 US eng A - Abstrakt
Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Hospodková, Alice - Mikhailova, M. P. - Veinger, A.I. - Kochman, I.V. - Semenikhin, P.V. - Kalinina, K.V. - Parfeniev, R.V. - Berezovets, V.A.
Shubnikov-de Haas oscillations and microwave radiation absorption of MOVPE grown InAs/GaSb/AlSb deep quantum wells.
ICMOVPE XVIII. Program and Exhibit Guide. Warrendale: MRS - Conference Services, 2016. s. 75
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA ČR GA16-11769S; GA MŠMT LO1603; GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: low dimensional structures * MOVPE * InAs/GaSb composite quantum wells * AlSb
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0264504 - 2.0466086 - FZÚ 2017 US eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Hubáček, Tomáš - Pangrác, Jiří
Yellow band luminescence suppression for fast nitride scintillator structures.
ICMOVPE XVIII. Program and Exhibit Guide. Warrendale: MRS - Conference Services, 2016. s. 49
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA ČR GA16-11769S; GA MŠMT LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * InGaN/GaN heterostructure * scintillators * yellow band
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0264502 - 3.0466021 - FZÚ 2017 US eng A - Abstrakt
Vyskočil, Jan - Hospodková, Alice - Zíková, Markéta - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Petříček, Otto - Hulicius, Eduard
GaAsSb/InAs/(In)GaAs type II quantum dots for solar cell applications.
ICMOVPE XVIII. Program and Exhibit Guide. Warrendale: MRS - Conference Services, 2016 - (Biefeld, R.). s. 44-44
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InAs * GaAsSb * InGaAs * quantum dot * solar cells
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0264476 - 4.0464452 - FZÚ 2017 RIV ZA eng A - Abstrakt
Hulicius, Eduard - Mikhailova, M. P. - Ivanov, E.V. - Danilov, L.V. - Kalinina, K.V. - Yakovlev, Y. P. - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Zíková, Markéta
LED-like structures with high temperature superlinear luminescence.
SMEOS 2016 - Sensors, MEMS and Electro-Optical Systems /4./.Abstracts. Skukuza: SPIE, 2016 - (Schutte, C.). s. 61-61
[SMEOS 2016 - Sensors, MEMS and Electro-Optical Systems /4./. 12.09.2016-14.09.2016, Skukuza]
Grant CEP: GA ČR GA16-11769S; GA MŠMT LM2015087; GA MŠMT LO1603; GA ČR(CZ) GP14-21285P
Grant ostatní: COST(XE) MP1204
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InAsSb QW * GaSb * superlinear luminescence * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0263310 - 5.0464448 - FZÚ 2017 RIV CN eng A - Abstrakt
Mikhailova, M. P. - Veinger, A.I. - Kochman, I.V. - Semenikhin, P.V. - Kalinina, K.V. - Parfeniev, R.V. - Berezovets, V.A. - Pangrác, Jiří - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard
Microwave radiation absorption and Shubnikov-de Haas oscillations of InAs/GaSb/AlSb quantum wells.
International Conference on Mid-IR-Optoelectronics: Materials and Devices /13./.MIOMD XIII. Shanghai: Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, 2016 - (He, L.). s. 82-83
[International Conference on Mid-IR-Optoelectronics: Materials and Devices /13./.MIOMD XIII. 18.09.2016-22.09.2016, Beijing]
Grant CEP: GA ČR GA16-11769S; GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA MŠMT LO1603; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Grant ostatní: COST(XE) MP1204
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * InAs * GaSb * composite quantum wells * EPR
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0263308 - 6.0463746 - FZÚ 2017 RIV DE eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Zíková, Markéta - Vyskočil, Jan - Kuldová, Karla - Melichar, Karel - Hubáček, Tomáš - Walachová, J. - Vaniš, J. - Křápek, V. - Humlíček, J. - Nikl, Martin - Pacherová, Oliva - Brůža, P. - Pánek, D. - Foltynski, B. - Oeztuerk, M. - Heuken, M. - Hulicius, Eduard
Nanostructures grown by MOVPE InAs/InGaAs/Ga(Sb)As quantum dot and GaN/InGaN quantum well structures.
GCCCG-1/DKT2016. Dresden: TU Dresden, 2016. s. 38.
[German Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1) /1./. 16.03.2016-18.03.2016, Dresden]
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * InAs quantum dot * GaAsSb SRL * GaInN quantum well * GaN * GaAs
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0262837 - 7.0463669 - FZÚ 2017 RIV PT eng A - Abstrakt
Mikhailova, M. P. - Ivanov, E.V. - Danilov, L.V. - Kalinina, K.V. - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Zíková, Markéta - Hulicius, Eduard
MIR LED-like structures with high temperature superlinear luminescence.
SMMO 2016. Lisbon: COST, 2016 - (Pereira, M.). s. 52
[Annual Conference of COST Action MP1204 and the International Conference on Semiconductor Mid-IR and THZ Materials and Optics SMMO2016. /4./. 21.03.2016-24.03.2016, Lisbon]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LM2011026; GA ČR GA16-11769S; GA ČR GA13-15286S; GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA MŠMT LO1603
Grant ostatní: COST(XE) MP1204
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * InAsSb * quantum well * Mid-IR * impact ionization
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0262781 - 8.0433688 - FZÚ 2015 CH eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Zíková, Markéta - Oswald, Jiří - Komninou, Ph. - Hulicius, Eduard
Growth of InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb in multiple structures studied by reflectance anisotropy spectroscopy.
International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. Lausanne: École Polytechnique Fédérale de Lausanne, 2014 - (Kapon, E.; Rudra, A.). s. 14-14
[International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. 13.07.2014-18.07.2014, Lausanne]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA ČR GA13-15286S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: metalorganic vapor phase epitaxy * InAs/GaAs quantum dots * GaAsSb strain reducing layer * reflectance anisotropy
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0237854 - 9.0433687 - FZÚ 2015 CH eng A - Abstrakt
Vyskočil, Jan - Gladkov, Petar - Petříček, Otto - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří
Growth and properties of AIII BV QD structures for intermediate band solar cells.
International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. Lausanne: École Polytechnique Fédérale de Lausanne, 2014 - (Kapon, E.; Rudra, A.). s. 7-7
[International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. 13.07.2014-18.07.2014, Lausanne]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985882
Klíčová slova: metalorganic vapor phase epitaxy * InAs/GaAs quantum dots * GaAsSb strain reducing layer * solar cells
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0237896