Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0479789 - FZÚ 2018 RIV RU eng J - Článek v odborném periodiku
    Mikhailova, M. P. - Berezovets, V.A. - Parfeniev, R.V. - Danilov, L.V. - Safonchik, M.O. - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Hulicius, Eduard
    Vertical transport in type-II Heterojunctions with InAs/GaSb/AlSb composite quantum wells in a high magnetic field.
    Semiconductors. Roč. 51, č. 10 (2017), s. 1343-1349. ISSN 1063-7826. E-ISSN 1090-6479
    Grant CEP: GA MŠMT LM2015087; GA MŠMT LO1603
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: InAs * GaSb * composite QW * magnetic properties
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 0.672, rok: 2017
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0275726
     
     
  2. 2.
    0432311 - FZÚ 2015 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Mikhailova, M. P. - Ivanov, E.V. - Danilov, L.V. - Petukhov, A.A. - Kalinina, K.V. - Slobozhanyuk, S.I. - Zegrya, G.G. - Stoyanov, N. D. - Yakovlev, Yu. P. - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Zíková, Markéta - Hulicius, Eduard
    Two-band superlinear electroluminescence in GaSb based nanoheterostructures with AlSb/InAs1-xSbx/AlSb deep quantum well.
    Journal of Applied Physics. Roč. 115, č. 22 (2014), "223102-1"-"223102-5". ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
    Grant CEP: GA ČR GA13-15286S
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: MOVPE * GaSb * InAs * electroluminescence * quantum well
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 2.183, rok: 2014
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0236718
     
     
  3. 3.
    0383762 - FZÚ 2013 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Mikhailova, M. P. - Ivanov, E.V. - Danilov, L.V. - Kalinina, K.V. - Stoyanov, N. D. - Zegrya, G.G. - Yakovlev, Yu. P. - Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Zíková, Markéta
    Superlinear electroluminescence due to impact ionization in GaSb-based heterostructures with deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum wells.
    Journal of Applied Physics. Roč. 112, č. 2 (2012), "023108-1"-"023108-10". ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
    Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: Auger recombination * photoluminescence * InAs
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 2.210, rok: 2012
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0213603
     
     


  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.