Výsledky vyhledávání
- 1.0575292 - FZÚ 2024 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Ťapajna, M. - Keshtkar, J. - Szabó, Ondrej - Shagieva, Ekaterina - Hušeková, K. - Dobročka, E. - Fedor, J. - Dérek, J. - Kromka, Alexander - Gucmann, F.
Growth of nanocrystalline diamond on gallium oxide using various interlayers.
Proceedings of ADEPT - ADEPT 2023. Žilina: University of Žilina, 2023 - (Jandura, D.; Lettrichová, I.; Kováč, jr., J.), s. 28-31. ISBN 978-80-554-1977-0.
[International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies /11./ - ADEPT 2023. Podbanské (SK), 12.06.2023-15.06.2023]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: Ga2O3 * diamond * hetero-integration * CVD * MOCVD * pn heterojunction
Obor OECD: Materials engineering
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0345070 - 2.0424328 - FZÚ 2014 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Vanko, G. - Lalinský, T. - Ižák, Tibor - Vojs, M. - Vincze, A. - Dobročka, E. - Vallo, M. - Dzuba, J. - Rýger, I. - Kromka, Alexander
AlGaN/GaN high electron mobility transistors for high temperatures.
Perspektívne vákuové metódy a technológie (Perspective vacuum methods and technologies). Bratislava: Slovenská vákuová spoločnosť, 2013 - (Vojs, M.; Veselý, M.; Vincze, A.), s. 55-59. ISBN 978-80-971179-2-4.
[School of Vacuum Technology /16./ (Perspektívne vákuové metódy a technológie. Perspective vacuum methods and technologies). Štrbské Pleso (SK), 10.10.2013-13.10.2013]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: electron mobility * crystalline diamond substrates * GaN
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0230412