Výsledky vyhledávání
- 1.0449867 - FZÚ 2016 RIV CZ cze L3 - Certifikované metodiky
Jirásek, Vít - Potocký, Štěpán - Sveshnikov, Alexey
Obecná metodika modelování vysokoteplotních technologických procesů metodou konečných prvků.
[General methodology for high temperature processes of semiconductor technology by the finite element methods.]
Interní kód: CM 2014-04 ; 2014
Technické parametry: Metodika umožňuje výrazně snížit počet ladících procesů při zprovozňování nových pecí u zákazníků. Umožňuje mnohem jednodušší nastavení procesních parametrů pro výrobu konkrétních vrstev na Si deskách
Ekonomické parametry: Díky této metodice dojde ke snížení náročnosti uvádění nových pecí do provozu, čímž dojde k redukci ceny těchto prací až o 3%.
Certifikační orgán: SVCS Process Innovation s.r.o., Optátova 37, Brno 637 00, Česká republika. Datum certifikace: 19.12.2014
Grant CEP: GA TA ČR TA01020972
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: CFD modelling * high temperature reactor * high temperature oxidation * phosphorus diffusion * boron diffusion * LPCVD * PECVD
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0251280 - 2.0449865 - FZÚ 2016 RIV CZ cze L3 - Certifikované metodiky
Holovský, Jakub - Remeš, Zdeněk
Metodika nedestruktivního určení koncentračního profilu bóru v Si deskách.
[Methodology of not destructive determination of boron concentration profile in Si wafers.]
Interní kód: SVMB_SOL_01 ; 2012
Technické parametry: Komercionalizace metodiky se nepředpokládá, bude sloužit jako podůrný produkt prodeje. V případě implementace ověřené technolopie pro difúzi bóru včetně všech jeho modulárních komponent na strukturách.
Ekonomické parametry: Komercionalizace metodiky se nepředpokládá, bude sloužit jako podůrný produkt prodeje. V případě implementace ověřené technolopie pro difúzi bóru včetně všech jeho modulárních komponent na strukturách křemíkových solárních článků do vysokoteplotních pecí SVFur společně s metodikami pro přípravu substrátů a vytváření těchto vrstev se předpokládá 12% nárůst prodeje v segmentu difuzních reaktorů pro dopování bórem společností SVCS Process Innovation s.r.o.
Certifikační orgán: SVCS Process Innovation s.r.o., Optátova 37, Brno 637 00, Česká republika. Datum certifikace: 10.12.2012
Grant CEP: GA TA ČR TA01020972
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: silicon substrate * boron concentration profile * IR reflection * UV ellipsometry
Kód oboru RIV: BL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0251279 - 3.0449834 - FZÚ 2016 RIV CZ cze L3 - Certifikované metodiky
Holovský, Jakub - Remeš, Zdeněk
Metodika nedestruktivního určení koncentračního profilu fosforu v Si deskách.
[Methodology of not destructive determination of phosphorus concentration profile in Si wafers.]
Interní kód: SVMP_SOL_01 ; 2012
Technické parametry: V tomto dílčím úkolu bylo cílem dopracovat bezkontaktní a rychlou metodu určování difúzních profilů, jakožto možnou charakterizační metodu pro sledování difúzních profilů a prostorové homogenity.
Ekonomické parametry: Komercionalizace metodiky se nepředpkládá, bude sloužit jako podůrný produkt prodeje. V případě implementace ověřené technolopie pro fosforovou difúzi včetně všech jeho modulárních komponent na strukturách křemíkových solárních článků do vysokoteplotních pecí SVFur společně s metodikami pro přípravu substrátů a vytváření těchto vrstev se předpokládá 12% nárůst prodeje v segmentu difuzních reaktorů pro dopování fosforem společností SVCS Process Innovation s.r.o.
Certifikační orgán: SVCS Process Innovation s.r.o., Optátova 37, Brno 637 00, Česká republika. Datum certifikace: 10.12.2012
Grant CEP: GA TA ČR TA01020972
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: silicon substrate * phosphorus concentration profile * IR reflection * IR ellipsometry
Kód oboru RIV: BL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0251276