Výsledky vyhledávání
- 1.0377299 - FZÚ 2013 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Vaniš, Jan - Pangrác, Jiří - Walachová, Jarmila - Vyskočil, Jan - Oswald, Jiří - Hospodková, Alice
Direct measurement of quantum levels in InAs/GaAs QDs by BEEM / BEES.
17th Conference of Czech and Slovak Physicists Proceedings. Košice: Slovak Physical Society, 2012 - (Reiffers, M.), s. 105-107. ISBN 978-80-970625-4-5.
[Conference of Czech and Slovak Physicists/17./. Žilina (SK), 05.09.2011-08.09.2011]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: quantum dots * InAs * GaAs * MOVPE * BEEM * BEES
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0209496 - 2.0371231 - FZÚ 2012 DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Mikhailova, M. P. - Andreev, I.A. - Moiseev, K. D. - Ivanov, E.V. - Konovalov, G.G. - Mikhailov, M.Yu. - Yakovlev, Yu. P. - Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Šimeček, Tomislav
Mid-infrared light emitting diodes and high-speed photodiodes based on type II heterostructures with deep AlSb/InAsSb/AlSb quantum wells in an active region.
Compound Semiconductor Week. 38th International Symposium on Compound Semiconductors - ISCS 2011. Berlin: N, 2011, s. 159-160. ISBN N.
[International Symposium on Compound Semiconductors/38./ - ISCS-2011. Berlin (DE), 22.05.2011-26.05.2011]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: MOCVD * QW * GaSb * IR LED
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0204797 - 3.0367158 - FZÚ 2012 RIV PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Vaniš, Jan - Pangrác, Jiří - Walachová, Jarmila - Vyskočil, Jan - Oswald, Jiří - Hospodková, Alice
Preparation of InAs/GaAs quantum dots for BEEM/BEES.
EWMOVPE XIV. Wroclaw: Printing house of Wroclaw University of Technology, 2011 - (Prazmowska, J.), s. 263-266. ISBN 978-83-7493-599-9.
[European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /14./. Wrocław (PL), 05.06.2011-08.06.2011]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676; GA ČR GPP102/11/P824
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: InAs/GaAs * quantum dots * BEEM/BEES
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0006668 - 4.0367155 - FZÚ 2012 RIV PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard - Hazdra, P.
GaAsSb strain reducing layers for InAs/GaAs quantum dot long wavelength and high efficiency emission.
EWMOVPE XIV. Wroclaw: Printing house of Wroclaw University of Technology, 2011 - (Prazmowska, J.), s. 105-108. ISBN 978-83-7493-599-9.
[European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /14./. Wrocław (PL), 05.06.2011-08.06.2011]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dot * InAs * GaAs * GaAsSb strain reducing layer * photoluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0006666