Výsledky vyhledávání
- 1.0425193 - FZÚ 2014 US eng A - Abstrakt
Mikhailova, M. P. - Ivanov, E.V. - Danilov, L.V. - Kalinina, K.V. - Stoyanov, N. D. - Zegrya, G.G. - Yakovlev, Yu. P. - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Zíková, Markéta - Hulicius, Eduard
Superlinear electroluminescence from deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum wells.
Infrared Optoelectronics: Materials and Devices (MIOMD XI). Chicago: Nortwestern University in Evanston, 2012. s. 23-24.
[Infrared Optoelectronics: Materials and Devices (MIOMD XI). 04.09.2012-08.09.2012, Chicago]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * GaSb * quantum wells * electroluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
http://miomd-11.northwestern.edu/technical/speakers/DB724921-986C-D575-88D992708C04B8B4.pdf
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0231104 - 2.0391055 - FZÚ 2013 HU eng A - Abstrakt
Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Oswald, Jiří - Vetushka, Aliaksi
Controlling of properties of MOVPE InAs/GaAs quantum dot structures for device application.
EuroNanoForum 2011 in partnership with Nanotech Europe - Coference - Exhibition - Matchmaking. 2011.
[EuroNanoForum 2011. 30. 05.2011-01.06. 2011, Budapest]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA MŠMT LC510
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: InAs/GaAs * Quantum Dots
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0219937 - 3.0390942 - FZÚ 2013 US eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Klenovský, P. - Kuldová, Karla - Hulicius, Eduard
InAs QDs covered by newly designed GaAsSb strain reducing layer.
International Conference on Quantum Dots /7./. Santa Fe: Santa Fe, 2012. s. 82-82.
[International Conference on Quantum Dots /7./. 13.05.2012-18.5.2012, Santa Fe, NM]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: GaAsSb * quantum dot * InAs * GaAs * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0219804 - 4.0390592 - FZÚ 2013 KR eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan
Graded GaAs(1-x)Sbx strain reducing layer covering InAs/GaAs quantum dots grown by MOVPE.
IC-MOVPE XVI. Daejeon 302-120: Seo-Gu, 2012 - (Euijoon, Y.). s. 76-76
[nternational Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy /16./. 20. 05.- 25. 05. 2012, Busan]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dots * strain reducing layer * band alignment * photoluminescence * InAs/GaAs * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0219462 - 5.0373132 - FZÚ 2012 US eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Oswald, Jiří - Hazdra, P. - Kuldová, Karla - Hulicius, Eduard - Caha, O.
InAs/GaAs QD capping in kinetically or diffusion limited growth regime.
IC-MOVPE XV. Warrendale: TMS, 2010. s. 44.
[International Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Conference /15./. 23.05.2010-28.05.2010, Hyatt Regency Lake Tahoe]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GAP108/10/0253; GA MŠMT LC510; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: InAs/GaAs quantum dot * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0206287 - 6.0373106 - FZÚ 2012 US eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hazdra, P. - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard - Šimeček, Tomislav
Influence of strain reducing layer type on electroluminescence and photoluminescence of InAs/GaAs QD structures.
IC-MOVPE XV. Warrendale: TMS, 2010. s. 44.
[International Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Conference /15./. 23.05.2010-28.05.2010, Hyatt Regency Lake Tahoe]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: InAs/GaAs * quantum dots * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0206262 - 7.0372948 - FZÚ 2012 GB eng A - Abstrakt
Oswald, Jiří - Hazdra, P. - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan
Electro- and photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot structures.
Quantum Dot 2010. Abstracts book. London: IOP, 2010. s. 395. ISBN N.
[Quantum Dot 2010. 26.04.2010-30.04.2010, Nottingham]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: electroluminescence * photoluminescence * InAs/GaAs * QD
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0206142 - 8.0371834 - FZÚ 2012 CZ eng A - Abstrakt
Vaniš, Jan - Walachová, Jarmila - Šroubek, Filip - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice
Ballistic electron emission microscopy/spectroscopy of InAs/GaAs quantum dots in GaAs/AlGaAs heterostructure grown by MOVPE and MBE.
NANOCON 2011. Conference Proceedings. Ostrava: Tanger Ltd, 2011. s. 77. ISBN 978-80-87294-23-9.
[NANOCON 2011. International Conference /3./. 21.09.2011-23.09.2011, Brno]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: BEEM * BEES * MOVPE * QD
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0205259 - 9.0371701 - FZÚ 2012 CZ eng A - Abstrakt
Hulicius, Eduard - Vaniš, Jan - Pangrác, Jiří - Walachová, Jarmila - Vyskočil, Jan - Oswald, Jiří - Hospodková, Alice
Direct measurement of quantum levels in InAs/GaAs QDs by BEEM / BEES.
Zborník abstraktov. 17. konferencia slovenských a českých fyzikov. Zvolen: Slovenská fyzikálna spoločnosť, 2011. s. 1-2.
[Konferencia slovenských a českých fyzikov /17./. 05.09.2011-08.09.2011, Žilina]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dots * InAs/GaAs * low pressure MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0205162 - 10.0371049 - FZÚ 2012 CZ eng A - Abstrakt
Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Ziková, M. - Vyskočil, Jan - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla
Controlling of MOVPE InAs/GaAs quantum dot properties for device application.
NANOCON 2011. Conference Proceedings. Ostrava: Tanger Ltd, 2011. s. 23. ISBN 978-80-87294-23-9.
[NANOCON 2011. International Conference /3./. 21.09.2011-23.09.2011, Brno]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GAP108/10/0253; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: InAs/GaAs quantum dots * M0VPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0204684