Výsledky vyhledávání
- 1.0354206 - FZÚ 2011 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Ciccarelli, C. - Park, B.G. - Ogawa, S. - Ferguson, A.J. - Wunderlich, Joerg
Gate controlled magnetoresistance in a silicon metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor.
Applied Physics Letters. Roč. 97, č. 8 (2010), 082106/1-082106/3. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: MOSFET
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.820, rok: 2010
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0193257 - 2.0324990 - FZÚ 2009 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Owen, M.H.S. - Wunderlich, J. - Novák, Vít - Olejník, Kamil - Zemen, Jan - Výborný, Karel - Ogawa, S. - Irvine, A.C. - Ferguson, A.J. - Sirringhaus, H. - Jungwirth, Tomáš
Low voltage control of ferromagnetism in a semiconductor p-n junction.
[Feromagnetismus ovládaný nízkým napětím v polovodičovém p-n přechodu.]
New Journal of Physics. Roč. 11, č. 2 (2009), 023008/1-023008/9. ISSN 1367-2630. E-ISSN 1367-2630
Grant CEP: GA MŠMT LC510; GA AV ČR KAN400100652; GA ČR GEFON/06/E002; GA ČR GEFON/06/E001
GRANT EU: European Commission(XE) 015728 - NANOSPIN
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: ferromagnetic semiconductor * p-n junction * field-effect transistor
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.312, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0172558