Výsledky vyhledávání
- 1.0341490 - ÚFE 2011 RIV RO eng J - Článek v odborném periodiku
Procházková, Olga - Grym, Jan - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Lorinčík, Jan
Influence of Yb AND Yb2O3 addition on the properties of InP layers.
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. Roč. 10, č. 12 (2008), s. 3261-3264. ISSN 1454-4164. E-ISSN 1841-7132
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0153; GA ČR(CZ) GP102/08/P617
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * rare earth elements * InP
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 0.577, rok: 2008
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0005810 - 2.0341444 - ÚFE 2010 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
LPE growth of InP layers from rare-earth treated melts for radiation detector structures.
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. Roč. 165, 1-2 (2009), s. 94-97. ISSN 0921-5107. E-ISSN 1873-4944
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP102/08/P617; GA ČR GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * rare earth elements * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
Impakt faktor: 1.715, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0184438 - 3.0341232 - ÚFE 2010 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Šrobár, Fedor - Procházková, Olga
Inversion of conductivity type of III-V compound layers in experiments with LPE growth from rare-earth containing melts.
Crystal Research and Technology. Roč. 44, č. 6 (2009), s. 597-602. ISSN 0232-1300. E-ISSN 1521-4079
Grant CEP: GA ČR GA102/09/1037; GA ČR GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductors
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.896, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0184282 - 4.0087817 - ÚFE 2008 RIV RO eng J - Článek v odborném periodiku
Šrobár, Fedor - Procházková, Olga
Simulation of the effects of rare earth elements presence in the growth of III-V compound layers.
[Simulace vlivu prvků vzácných zemin na růst vrstev sloučenin typu III-V.]
Optoelectronics and Advanced Materials - Rapid Communications. Roč. 1, č. 10 (2007), s. 528-530. ISSN 1842-6573. E-ISSN 2065-3824
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * rare earth compounds * getters
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.000, rok: 2007
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0149561 - 5.0086200 - ÚFE 2008 RIV RO eng J - Článek v odborném periodiku
Zavadil, Jiří - Procházková, Olga - Žďánský, Karel - Gladkov, Petar
InP p-type epitaxial layers grown with the addition of rare-earth elements for use in radiation detection.
[InP epitaxní vrstvy typu p připravené za přítomnosti prvků vzácných zemin pro detekci radiačního záření.]
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. Roč. 9, č. 5 (2007), s. 1221-1226. ISSN 1454-4164. E-ISSN 1841-7132.
[ROCAM 2006 - Romanian Conference on Advanced Materials /5./. Bucuresti, 11.09.2006-14.11.2006]
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductors * photoluminescence * galvanomagnetic effects
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 0.827, rok: 2007
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0004150 - 6.0083003 - ÚFE 2008 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Procházková, Olga - Grym, Jan - Pekárek, Ladislav - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
InP based semioconductor structures for radiation detection.
[Polovodičové struktury na bázi InP pro detekci záření.]
Journal of Materials Science-Materials in Electronics. Roč. 19, 8/9 (2008), s. 700-775. ISSN 0957-4522. E-ISSN 1573-482X.
[Semiconducting & Insulating Materials Conference - SIMC /14./. Fayetteville, 15.05.2007-20.05.2007]
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * rare earth compounds * radiation detectors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 1.054, rok: 2008
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0146395 - 7.0082972 - ÚFE 2007 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Zavadil, Jiří - Procházková, Olga - Žďánský, Karel - Gladkov, Petar
Ce and Yb doped InP layers grown for radiation detection.
[InP vrstvy dotované Ce a Yb pro využití v detekci radiačního záření.]
Physica Status Solidi C. Roč. 4, č. 4 (2007), s. 1444-1447. ISSN 1610-1634.
[EXMATEC 2006 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies /8./. Cádiz, 14.05.2006-17.05.2006]
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductors * photoluminescence * galvanomagnetic effects
Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0146371 - 8.0082910 - ÚFE 2007 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Zat´ko, B. - Dubecky, F. - Procházková, Olga - Nečas, V.
Role of electrode metallization in the performance of bulk semi-insulating InP radiation detectors.
[Úloha kovových elektrod při přípravě detektorů na bázi semi-izolačního InP.]
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Roč. 576, č. 1 (2007), s. 98-102. ISSN 0168-9002. E-ISSN 1872-9576.
[International Workshop on Radiation Imaging Detectors - IWORID/8./. Pisa, 02.07.2006-06.07.2006]
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0153
Grant ostatní: Slovak Grant Agency for Science(SK) 2/7170/27
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * radiation detection * indium compounds * Schottky barriers
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 1.114, rok: 2007
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0146331 - 9.0041505 - ÚFE 2007 RIV CZ eng J - Článek v odborném periodiku
Procházková, Olga - Grym, Jan - Zavadil, Jiří - Kopecká, M.
Rare earth elements and oxides in liquid phase epitaxy.
[Využití vzácných zemin v kapalné epitaxy.]
Chemické listy. Roč. 100, č. 8 (2006), s. 640--. ISSN 0009-2770. E-ISSN 1213-7103.
[Sjezd chemických společností /58./. Ústí nad Labem, 04.09.2006-08.09.2006]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * rare earth metals
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.431, rok: 2006
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0134958 - 10.0041502 - ÚFE 2007 RIV CZ eng J - Článek v odborném periodiku
Šrobár, Fedor - Procházková, Olga
A model of gettering effects of rare-earth elements in III-V compounds.
[Model gettrovacích efektů prvků vzácných zemin v sloučeninách III-V.]
Chemické listy. Roč. 100, č. 8 (2006), s. 643--. ISSN 0009-2770. E-ISSN 1213-7103.
[Sjezd chemických společností /58./. Ústí nad Labem, 04.09.2006-08.09.2006]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * rare earth metals * getters
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.431, rok: 2006
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0134955