Výsledky vyhledávání
- 1.0346128 - ÚFE 2011 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Šrobár, Fedor - Procházková, Olga
Purification Action of Rare-Earth Elements in the LPE Growth of III-V Semiconductors: Feedback Phenomena.
ASDAM 2008, CONFERENCE PROCEEDINGS. NEW YORK: IEEE, 2008 - (Hascik, S.; Osvald, J.), s. 259-262. ISBN 978-1-4244-2325-5.
[7th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Smolenice (SK), 12.10.2008-16.10.2008]
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductors * Rare-earth elements * feedback
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187232 - 2.0346036 - ÚFE 2011 CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
LPE Growth of III-V Semiconductors from rare-earth Treated Melts.
Proceedings of the 18th Joint seminar Development of materials science in research and education. Praha: Czechoslovak association for crystal growth, 2008 - (Nitsch, K.; Rodová, M.), s. 16-17. ISBN 978-80-254-0864-3.
[18. Development of Materials Science in Research and Education. Hnanice (CZ), 02.09.2008-05.09.2008]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP102/08/P617; GA ČR GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * rare earth elements * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187165 - 3.0346035 - ÚFE 2011 PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
LPE growth of InP layers from rare-earth treated melts for the radiation detection structures.
EXMATEC 2008. Lodž: IEEE, 2008 - (Ciupa, E.; Sibinski, M.; Podgorski, J.; Bielska, S.), s. 171-172. ISBN 978-83-915220-1-1.
[9TH International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies. Lodž (PL), 01.06.2008-04.06.2008]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP102/08/P617; GA ČR GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * rare earth elements * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187164 - 4.0323023 - FZÚ 2009 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Pekárek, Ladislav - Yatskiv, Roman
Growth of indium phosphide crystals for radiation detectors and other application.
[Růst krystalů InP pro detektory záření a jiné použití.]
Proceedings of the 18th Joint seminar Development of materials science in research and education. Praha: Czechoslovak association for crystal growth, 2008 - (Nitsch, K.; Rodová, M.), s. 74-75. ISBN 978-80-254-0864-3.
[Development of Materials Science in Research and Education, Joint Seminar 2008 /18./. Hnanice (CZ), 02.09.2008-05.09.2008]
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100520; CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: indium phosphide * crystal growth * radiation detection
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0171106 - 5.0308798 - ÚFE 2011 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Procházková, Olga - Grym, Jan - Zavadil, Jiří - Lorinčík, Jan - Žďánský, Karel
Influence of Yb and Yb2O3 on the properties of InP layers.
[Vliv Yb a Yb2O3 na vlastnosti InP vrstev.]
IPRM 2008 - Proceedings of the 20th Indium Phosphide and Related Materials Conference. Piscataway: Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2008, ---. ISBN 978-1-4244-2258-6. ISSN 1092-8669.
[IPRM 2008 - Indium Phosphide and Related Materials Conference /20./. Versailles (FR), 25.05.2008-29.05.2008]
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0153; GA ČR(CZ) GP102/08/P617
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * indium compounds * rare earth compounds
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0161159 - 6.0308797 - ÚFE 2008 US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Pekárek, Ladislav - Žďánský, Karel - Procházková, Olga
Growth of indium phosphide bulk crystals for radiation detectors.
[Růst objemových krystalů indium fosfidu pro detektory záření.]
IPRM 2008 - Proceedings of the 20th Indium Phosphide and Related Materials Conference. Piscataway: Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2008, ---. ISBN 978-1-4244-2258-6. ISSN 1092-8669.
[IPRM 2008 - Indium Phosphide and Related Materials Conference /20./. Versailles (FR), 25.05.2008-29.05.2008]
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0153; GA AV ČR KAN400670651
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100523
Klíčová slova: semiconductor technology * indium compounds
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0161158 - 7.0043179 - ÚFE 2007 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Pekárek, Ladislav - Žďánský, Karel
Indium phosphide X-Ray and particle detector.
[Detektory rtg a částicového záření na bázi indium fosfidu.]
Development of Materials Science in Research and Education DMS-RE'06. Proceedings of the 16th Joint Seminar. Bratislava: Slovak University of Technology in Bratislava, 2006 - (Nitsch, K.; Rodová, M.), s. 52-53. ISBN 80-901-748-7-6.
[Development of Materials Science in Research and Education, Joint Seminar 2006 /16./. Valtice (CZ), 12.09.2006-15.09.2006]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA102/06/0153; GA AV ČR(CZ) KAN400670651
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100520
Klíčová slova: particle detectors * III-V semiconductors * crystal growth
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0136238 - 8.0043178 - ÚFE 2007 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
LPE growth of InP using rare-earth treated melts.
[Růst InP metodou LPE s přídavkem prvků vzácných zemin do taveniny.]
Development of Materials Science in Research and Education DMS-RE'06. Proceedings of the 16th Joint Seminar. Bratislava: Slovak University of Technology in Bratislava, 2006 - (Nitsch, K.; Rodová, M.), s. 26-27. ISBN 80-901-748-7-6.
[Development of Materials Science in Research and Education, Joint Seminar 2006 /16./. Valtice (CZ), 12.09.2006-15.09.2006]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: liquid phase epitaxy * III-V semiconductors * rare earth compounds
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0136237 - 9.0043176 - ÚFE 2007 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
High purity p-type InP grown by LPE with rare-earth admixtures.
[Vysoce čistý InP typu p připravený kapalnou epitaxí s příměsí prvků vzácných zemin.]
ASDAM'06. Conference Proceedings of the 6th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Bratislava: Slovak University of Technology in Bratislava, 2006 - (Breza, J.; Donoval, D.; Vavrinský, E.), s. 157-160. ISBN 1-4244-0396-0.
[ASDAM'06 - International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /6./. Smolenice (SK), 16.10.2006-18.10.2006]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: liquid phase epitaxy * III-V semiconductors * rare earth compounds
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0136236 - 10.0043175 - ÚFE 2007 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Zat´ko, B. - Dubecký, F. - Procházková, Olga - Nečas, V.
Performance study of bulk semi-insulating InP radiation detectors with different electrode metallizations.
[Radiační detektory na bázi semiizolačního InP: technologie elektrod.]
ASDAM'06. Conference Proceedings of the 6th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Bratislava: Slovak University of Technology in Bratislava, 2006 - (Breza, J.; Donoval, D.; Vavrinský, E.), s. 161-164. ISBN 1-4244-0396-0.
[ASDAM'06 - International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /6./. Smolenice (SK), 16.10.2006-18.10.2006]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA102/06/0153
Grant ostatní: Slovak Grant Agency for Science(SK) 2/4151/24
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * radiation detection * indium compounds
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0136235