Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0581052 - ÚJF 2024 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Novak, A. - Granja, C. - Šagátová, A. - Jakoubek, J. - Zat'ko, B. - Vondráček, V. - Andrlík, M. - Zach, Václav - Polansky, S. - Rathi, A. - Oancea, C.
    Silicon Carbide Timepix3 detector for quantum-imaging detection and spectral tracking of charged particles in wide range of energy and field-of-view.
    Journal of Instrumentation. Roč. 18, č. 11 (2023), č. článku C11004. ISSN 1748-0221. E-ISSN 1748-0221
    Institucionální podpora: RVO:61389005
    Klíčová slova: Materials for solid-state detectors * Particle tracking detectors (Solid-state detectors) * Radiation-hard detectors
    Obor OECD: Nuclear physics
    Impakt faktor: 1.3, rok: 2022
    Způsob publikování: Omezený přístup
    https://doi.org/10.1088/1748-0221/18/11/C11004
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0349621
     
     
  2. 2.
    0509479 - FZÚ 2020 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Dubecký, F. - Zat'ko, B. - Kolesár, V. - Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Gombia, E. - Dubecký, M.
    Charge collection efficiency of Pt vs. Mg contacts on semi-insulating GaAs.
    Applied Surface Science. Roč. 467, Feb (2019), s. 1219-1225. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: semi-insulating GaAs * metal-semiconductor contact * metal-oxide-semiconductor contact * charge collection efficiency
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 6.182, rok: 2019
    Způsob publikování: Omezený přístup
    https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.10.164
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0300223
     
     
  3. 3.
    0331194 - FZÚ 2010 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Dubecký, F. - Zat'ko, B. - Hubík, Pavel - Gombia, E. - Boháček, P. - Huran, J. - Sekáčová, M.
    A new kind of quasi-ohmic metallization in semi-insulating GaAs: study of electrical characteristics.
    [Nový typ kvaziohmické metalizace v semiizolačním GaAs.]
    Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Roč. 607, č. 1 (2009), 132-134. ISSN 0168-9002. E-ISSN 1872-9576.
    [International Workshop on Radiation Imaging Detectors /10./. Helsinki, 29.06.2008-03.07.2008]
    Grant CEP: GA AV ČR IAA1010404
    Grant ostatní: SGAS(SK) 2/7170/27; APRD(SK) APVV-99-P06305; APRD(SK) APVV-0459-06
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: GaAs * semi-insulating * metal-semiconductor contact * Schottky barrier * work function
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.317, rok: 2009
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0176781
     
     


  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.