Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0303412 - URE-Y 990001 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Starosta, Karel - Zavadil, Jiří
    The effect of mode guiding in edge emitting electroluminescent GaInAsP/InP diodes.
    Solid-State Electronics. Roč. 43, č. 2 (1999), s. 447-455. ISSN 0038-1101. E-ISSN 1879-2405
    Grant ostatní: AV ČR(CZ) KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
    Klíčová slova: electroluminescent devices * waveguides theory
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 0.928, rok: 1999
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113635
     
     
  2. 2.
    0302992 - URE-Y 970008 NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Zavadil, Jiří - Starosta, Karel - Hála, J. (ed.) - Reineker, P. (ed.) - Meltzer, R.S. (ed.)
    Guided modes in spontaneous edge electroluminescence from GaInAsP/InP heterostructure diodes.
    Journal of Luminescence. 72-74, - (1997), s. 1007-1009. ISSN 0022-2313. E-ISSN 1872-7883.
    [1996 International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter -ICL'96. Prague, 18.08.1996-23.08.1996]
    Grant CEP: GA ČR GA102/94/1059
    Klíčová slova: waveguide theory
    Impakt faktor: 0.942, rok: 1997
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113281
     
     
  3. 3.
    0302229 CH eng J - Článek v odborném periodiku
    Nohavica, Dušan - Berková, Daniela - Těmínová, Jana - Zelinka, Jiří - Starosta, Karel - Kortán, Josef - Malina, Václav - Macháčková, D.
    1,3 and 1,55 ćm wavelength GaInAsP/InP DC PBH lasers.
    Crystal Properties and Preparation. 19-20, - (1989), s. 345-348
    [Conference on Physics and Technology of GaAs and other III-V /3./. Tatranská Lomnica, 28.11.1988-01.12.1988]
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112696
     
     
  4. 4.
    0302219 CZ cze J - Článek v odborném periodiku
    Procházková, Olga - Novotný, Jan - Šrobár, Fedor - Zelinka, Jiří - Starosta, Karel
    Příprava a vlastnosti hřebenového laseru na bázi (GaIn)(AsP)/InP pro oblast 1,3 ćm.
    Journal of Electrical Engineering. Roč. 37, č. 4 (1986), s. 286. ISSN 0013-578X
    Klíčová slova: semiconductor materials * liquid phase epitaxial growth * semiconductor lasers
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112687
     
     


  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.