Výsledky vyhledávání
- 1.0304108 - URE-Y 20030036 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Novotný, Jan - Podvalová, Zdislava - Zelinka, Jiří
Growth of triglycine sulphate single crystals doped with Pt/IV/ and L-Alanin.
Crystal Growth & Design. Roč. 3, č. 3 (2003), s. 393-395. ISSN 1528-7483. E-ISSN 1528-7505
Grant CEP: GA AV ČR IBS2067204; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: ferroelectricity * crystal growth * pyroelectric detectors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 2.742, rok: 2003
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0003148 - 2.0303947 - URE-Y 20020080 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Novotný, Jan
P-type InP grown by LPE from melts with rare earth admixtures.
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. B91-92, - (2002), s. 38-42. ISSN 0921-5107. E-ISSN 1873-4944.
[DRIP /9./. Rimini, 24.09.2001-28.09.2001]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074; GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4044
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: luminescence * rare earth compounds * Hall effect * semiconductor materials
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114091 - 3.0303783 - URE-Y 20010003 RIV CZ cze J - Článek v odborném periodiku
Prokopová, Lucie - Mička, Z. - Novotný, Jan - Malina, Václav
Příprava monokrystalů síranu triglycinia s přímesí Pr3+, Co2+ a PO43-.
[Preparation of triglycine sulphate single crystals with metal impurities of Pr3+, Co2+ and PO43-.]
Materials structure. Roč. 7, č. 2 (2000), s. 67-72. ISSN 1210-8529
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0364
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: ferroelectric materials * crystal growth * pyroelectric detectors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113967 - 4.0303782 - URE-Y 20010059 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Novotný, Jan - Prokopová, Lucie - Mička, Z.
TGS single crystal doped by Pd(II) ions.
Journal of Crystal Growth. Roč. 226, 2/3 (2001), s. 333-340. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4076
Grant ostatní: GA MSk(CZ) OC P3.160
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: crystal growth * pyroelectric devices * ferroelectric materials
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 1.283, rok: 2001
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113966 - 5.0303780 - URE-Y 20010080 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Prokopová, Lucie - Novotný, Jan - Mička, Z. - Malina, Václav
Growth of triglicine sulphate single crystals doped by cobalt (II) phosphate.
Crystal Research and Technology. Roč. 36, č. 11 (2001), s. 1189-1195. ISSN 0232-1300. E-ISSN 1521-4079
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0364; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4076
Grant ostatní: GA MSk(CZ) OC P3.160
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: crystal growth * pyroelectric devices * domains
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 0.536, rok: 2001
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113964 - 6.0303596 - URE-Y 20000002 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Novotný, Jan
InGaAsP/InP heterostructure doped by cobalt.
Crystal Research and Technology. Roč. 35, č. 1 (2000), s. 65-70. ISSN 0232-1300. E-ISSN 1521-4079
Grant CEP: GA ČR GA102/96/1238
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: liquid phase epitaxial growth * semiconductor diodes * light emitting diodes
Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
Impakt faktor: 0.522, rok: 2000
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113784 - 7.0303426 - URE-Y 990119 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Novotný, Jan - Procházková, Olga - Žďánský, Karel - Zavadil, Jiří - Šrobár, Fedor
Preparation and characterization of n- and p-type ytterbium doped InP epitaxial layers.
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. B66, 1/3 (1999), s. 58-62. ISSN 0921-5107. E-ISSN 1873-4944.
[International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies /4./. Cardiff, 21.06.1998-24.06.1998]
Grant CEP: GA ČR GA102/96/1238
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductors * rare earth compounds * crystal defects * liquid phase epitaxial growth
Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113645 - 8.0303415 - URE-Y 990011 RIV SK eng J - Článek v odborném periodiku
Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Novotný, Jan - Peřina, Vratislav
Influence of some f-elements on the properties of InP layers prepared by LPE.
Journal of Electrical Engineering - Elektrotechnický časopis. Roč. 50, 2/s (1999), s. 20-23. ISSN 1335-3632. E-ISSN 1339-309X.
[Development of Materials Science in Research and Education - DMS-RE 1998 /8./. Zlenice, 08.09.1998-10.09.1998]
Grant CEP: GA ČR GA102/96/1238; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: III-V semiconductors * rare earth compounds * liquid phase epitaxial growth * crystal defects
Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113637 - 9.0303411 - URE-Y 990057 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Novotný, Jan - Procházková, Olga - Žďánský, Karel - Zavadil, Jiří
Preparation and properties of Er and Yb doped Inp-based semiconductor compounds.
Czechoslovak Journal of Physics. Roč. 49, č. 5 (1999), s. 757-763. ISSN 0011-4626.
[Czech-Chinese Workshop on Advanced Materials for Optoelectronics - AMFO'98. Prague, 15.06.1998-17.06.1998]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: liquid phase epitaxial growth * rare earth compounds * photoluminescence * electroluminescent devices
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 0.328, rok: 1999
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0003136 - 10.0303402 - URE-Y 990105 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Procházková, Olga - Novotný, Jan - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
Effect of rare earth addition on liguid phase epitaxial InP-based semiconductor layers.
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. B66, 1/3 (1999), s. 63-66. ISSN 0921-5107. E-ISSN 1873-4944.
[International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies /4./. Cardiff, 21.06.1998-24.06.1998]
Grant CEP: GA ČR GA102/96/1238
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductor materials * rare earth compounds * photoluminescence
Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113628