Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0485615 - FZÚ 2018 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Supplie, O. - Brückner, S. - Romanyuk, Olexandr - May, M.M. - Döscher, H. - Kleinschmidt, P. - Stange, A. - Dobrich, A. - Höhn, C. - Lewerenz, H.J. - Grosse, F. - Hannappel, T.
    An experimental-theoretical atomic-scale study–In situ analysis of III-Von Si(100) growth for hybrid solar cells.
    IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC) /40./. New York: IEEE, 2014, s. 2797-2799. ISBN 978-1-4799-4398-2. ISSN 0160-8371.
    [40th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). Denver (US), 08.06.2014-13.06.2014]
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: III-V-on-silicon * in situ * MOVPE / MOCVD * interfaces
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    http://ieeexplore.ieee.org/document/6925510/?arnumber=6925510&abstractAccess=no&userType=inst
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0280620
     
     
  2. 2.
    0452710 - FZÚ 2016 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Artemenko, Anna - Babchenko, Oleg - Kozak, Halyna - Ukraintsev, Egor - Ižák, Tibor - Romanyuk, Olexandr - Potocký, Štěpán - Kromka, Alexander
    In situ XPS characterization of diamond films after AR+ cluster ion beam sputtering.
    NANOCON 2015: 7th International Conference on Nanomaterials - Research and Application, Conference Proceedings. Ostrava: TANGER, spol. s r.o., 2015, s. 605-610. ISBN 978-80-87294-63-5.
    [NANOCON 2015. International Conference /7./. Brno (CZ), 14.10.2015-16.10.2015]
    Grant CEP: GA ČR GA15-01687S
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: diamond * depth profiling * XPS * sputtering * Raman
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0253621
     
     
  3. 3.
    0425133 - FZÚ 2014 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Romanyuk, Olexandr - Jiříček, Petr - Mutombo, Pingo - Paskova, T. - Bartoš, Igor
    Surface analysis of free-standing GaN substrates with polar, nonpolar,and semipolar crystal orientations.
    Gallium Nitride Materials and Devices VIII. Bellingham: SPIE, 2013 - (Chyi, J.; Nanishi, Y.; Morkoc, H.; Piprek, J.; Yoon, E.; Fujioka, H.), "862521-1"-"862521-9". Proceedings of SPIE, 8625. ISBN 978-0-8194-9394-1. ISSN 0277-786X.
    [SPIE Symposium on Gallium Nitride Materials and Devices /8./. San Francisco (US), 04.02.2013-07.02.2013]
    Grant ostatní: AV ČR(CZ) M100101201
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: surface structure * non-polar GaN * semipolar GaN * LEED * photoelectron diffraction * crystal polarity
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    http://dx.doi.org/10.1117/12.2006400
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0231058
     
     


  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.