Výsledky vyhledávání
- 1.0375816 - FZÚ 2012 RIV CZ cze J - Článek v odborném periodiku
Šourek, Zbyněk
CENTRALSYNC, naše aktivity v ESRF.
[CENTRALSYNC, Czech activities in the ESRF.]
Materials Structure in Chemistry, Biology, Physics and Technology. Roč. 16, 2a (2009), k21-k21. ISSN 1211-5894
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100520
Klíčová slova: synchrotron radiation
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
http://www.xray.cz/ms/bul2009-2a/lectures11-18.pdf
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0208376 - 2.0375803 - FZÚ 2012 RIV CZ eng J - Článek v odborném periodiku
Šourek, Zbyněk
Laboratory Rotan.
Materials Structure in Chemistry, Biology, Physics and Technology. Roč. 17, 2a (2010), k9-k11. ISSN 1211-5894
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100520
Klíčová slova: X-ray equipment * solid state physics
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
http://www.xray.cz/ms/bul2010-2a/sourek.pdf
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0208367 - 3.0375800 - FZÚ 2012 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Franc, J. - Moravec, P. - Hlídek, P. - Belas, E. - Höschl, P. - Grill, R. - Šourek, Zbyněk
Development of inclusion-free CdZnTe substrates from crystals grown by the vertical-gradient freeze method.
Journal of Electronic Materials. Roč. 32, č. 7 (2003), s. 761-765. ISSN 0361-5235. E-ISSN 1543-186X
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: CdZnTe * crystal growth * substrates
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.457, rok: 2003
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0006932 - 4.0316613 - FZÚ 2009 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Kopecký, Miloš - Busetto, E. - Lausi, A. - Šourek, Zbyněk - Kub, Jiří - Cukr, Miroslav - Novák, Vít - Olejník, Kamil - Wright, J.
Imaging of interstitial atoms in Ga1-xMnxAs layers by means of X-ray diffuse scattering.
[Zobrazení intersticiálních atomů ve vrstvách Ga1-xMnxAs pomocí difúzního rozptylu rentgenového záření.]
Journal of Applied Crystallography. Roč. 41, - (2008), s. 544-547. ISSN 0021-8898. E-ISSN 1600-5767
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0381; GA AV ČR IAA100100529
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z10100523
Klíčová slova: GaMnAs layer * x-ray diffuse scattering * annealing
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.212, rok: 2008
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0004919 - 5.0131201 - FZU-D 970014 CZ cze J - Článek v odborném periodiku
Hrdý, Jaromír - Polcarová, Milena - Šourek, Zbyněk
X-Top'96.
Československý časopis pro fyziku. Roč. 46, č. 1 (1996), s. 60-61. ISSN 0009-0700
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0029283 - 6.0130649 - FZU-D 950343 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Kub, Jiří - Šourek, Zbyněk
Quantitative double-crystal X-ray dispersion topography with a point focus source.
Journal of Crystal Growth. Roč. 151, - (1995), s. 387-392. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA ČR GA202/93/1150
Impakt faktor: 1.390, rok: 1995
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0028763 - 7.0130223 - FZU-D 940054 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Štěpánek, Bedřich - Šourek, Zbyněk - Šestáková, Věra - Šesták, Jaroslav - Kub, Jiří
Study of low Te-doped GaSb single crystals.
Journal of Crystal Growth. Roč. 135, č. 2 (1994), s. 290-296. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA AV ČR IA110110; GA ČR GA202/93/0512
Impakt faktor: 1.561, rok: 1994
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0028367 - 8.0097106 - FZÚ 2008 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Kopecký, Miloš - Kub, Jiří - Busetto, E. - Lausi, A. - Fábry, Jan - Šourek, Zbyněk
Anomalous scattering and isomorphous replacement in X-ray diffuse scattering holography.
[Anomální rozptyl a izomorfní záměna v rentgenové holografii využívající difúzního rozptylu.]
Physica Status Solidi A. Roč. 204, č. 8 (2007), s. 2572-2577. ISSN 1862-6300. E-ISSN 1862-6319
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100529; GA MŠMT LA 287
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100523; CEZ:AV0Z10100520
Klíčová slova: x-ray difuse scattering * x-ray holography
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0156324 - 9.0047489 - FZÚ 2007 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hazdra, P. - Voves, J. - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Šourek, Zbyněk
Ultrathin InAs and modulated InGaAs layers in GaAs grown by MOVPE.
[Ultratenké InAs a modulované InGaAs vrstvy v GaAs připravené pomocí MOVPE studované fotomodulační reflektanční spektroskopií.]
Applied Surface Science. Roč. 253, - (2006), s. 85-89. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010318
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: photomodulated reflectance spectroscopy * X-ray diffraction * ultrathin InAs layer * quantum well * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.436, rok: 2006
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0003748 - 10.0043982 - ÚFE 2007 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Gladkov, Petar - Nohavica, Dušan - Šourek, Zbyněk - Litvinchuk, A. P. - Iliev, M. N.
Growth and characterization of InAs layers obtained by liquid phase epitaxy from Bi solvents.
[Růst a charakterizace InAs vrstev získaných metodou kapalně-fázní epitaxe z 100% bismutových roztoků.]
Semiconductor Science and Technology. Roč. 21, č. 4 (2006), s. 544-549. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) ME 697
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100520
Klíčová slova: semiconductor materials * III-V semiconductors * epitaxial growth * photoluminescence * X-ray diffraction * Raman spectroscopy * infrared spectroscopy
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 1.586, rok: 2006
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0136864