Výsledky vyhledávání
- 1.0023443 - ÚFE 2006 RIV GB eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Gladkov, Petar - Nohavica, Dušan - Šourek, Zbyněk
Excitonic photoluminescense from InAs(1-x) Bix (x<0.01) epitaxial layers grown by LPE from Bi solvents.
[Excitonová FL u InAsBi pěstovaného epitaxně z kapalné fáze.]
MIOMD-VII. Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices. Lancaster: Lancaster University, 2005, ---.
[MIOMD - Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices /7./. Lancaster (GB), 12.09.2005-14.09.2005]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) ME 697
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: photoluminescence * semiconductors * epitaxial layers
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
http://www.lancs.ac.uk/depts/physics/conf/miomd-7/scope.html
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112085