Výsledky vyhledávání

0023432 - ÚFE 2006 GB eng A - Abstrakt
Gladkov, Petar - Nohavica, Dušan - Šourek, Zbyněk
Excitonic photoluminescense from InAs_(1-x) Bi_x (x<0.01) epitaxial layers grown by LPE from Bi solvents.
[Excitonová FL u InAsBi pěstovaného epitaxně z kapalné fáze.]
MIOMD-VII. Abstract Booklet. Lancaster: Lancaster University, 2005. 19..
[MIOMD - Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices /7./. 12.09.2005-14.09.2005, Lancaster]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) ME 697
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: photoluminescence * semiconductors * epitaxial layers * MOCVD
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112074