Výsledky vyhledávání
- 1.0372993 - FZÚ 2012 CN eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Matulková, Irena - Cihelka, Jaroslav - Zelinger, Zdeněk - Civiš, Martin - Šimeček, Tomislav - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard
Diagnostic and characterization of the VCSEL diodes based on W heterostructure type II on GaSb substrate.
Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices (MIOMD-X). Shanghai: Shanghai Institute of Microsystem and Information technology Chinese Academy of Sciences, 2010, s. 178-179. ISBN N.
[International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices /10./ (MIOMD-X). Shanghai (CN), 05.09.2010-09.09.2010]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z40400503; CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: VCSEL diodes * GaSb * semiconductor laser * MID-IR
Kód oboru RIV: CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0206174 - 2.0371550 - FZÚ 2012 DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Fulem, Michal - Morávek, Pavel - Pangrác, Jiří - Hulicius, Eduard - Šimeček, Tomislav - Růžička, K. - Růžička, V. - Kozyrkin, B. - Shatunov, V.
Vapor pressure of timethylantimony and tert-butyldimethylantimony.
EWMOVPE 2009. Ulm: DOW Electronic Materials, 2009, s. 51-53.
[European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /13./. ULM (DE), 07.06.2009-10.06.2009]
Grant CEP: GA ČR GA203/08/0217
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: vapor pressure * trimethylantimony * tert-butyldimethylantimony * static method
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0205042 - 3.0371231 - FZÚ 2012 DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Mikhailova, M. P. - Andreev, I.A. - Moiseev, K. D. - Ivanov, E.V. - Konovalov, G.G. - Mikhailov, M.Yu. - Yakovlev, Yu. P. - Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Šimeček, Tomislav
Mid-infrared light emitting diodes and high-speed photodiodes based on type II heterostructures with deep AlSb/InAsSb/AlSb quantum wells in an active region.
Compound Semiconductor Week. 38th International Symposium on Compound Semiconductors - ISCS 2011. Berlin: N, 2011, s. 159-160. ISBN N.
[International Symposium on Compound Semiconductors/38./ - ISCS-2011. Berlin (DE), 22.05.2011-26.05.2011]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: MOCVD * QW * GaSb * IR LED
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0204797 - 4.0367084 - FZÚ 2012 FR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Pangrác, Jiří - Hulicius, Eduard - Fulem, Michal - Vyskočil, Jan - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Organometallic Ge precursors, their stability and vapour pressure measurement.
IC-MOVPE XIV. Metz: UMI2958 GT-CNRS, 2008, s. 421-422.
[International Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Conference /14./. Metz (FR), 01.06.2008-06.06.2008]
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: germanium precursors * vapour pressure * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0201866 - 5.0367077 - FZÚ 2012 FR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Influence of capping layer growth parameters on the properties of MOVPE grown InAs/GaAs quantum dots.
IC-MOVPE XIV. Metz: UMI2958 GT-CNRS, 2008, s. 101-102.
[International Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Conference /14./. Metz (FR), 01.06.2008-06.06.2008]
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719; GA ČR GA202/06/0718
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: InAs/GaAs * quantum dots * MOVPE * RAS
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0201862 - 6.0346192 - ÚFE 2011 DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Gladkov, Petar - Fejfar, Antonín - Ledinský, Martin - Humlíček, J. - Šimeček, Tomislav - Paskova, T. - Evans, K.
Effect of Fe doping on optical properties of SI GaN bulk substrates suitable for MOVPE growths.
EWMOVPE 2009. Ulm: DOW Electronic Materials, 2009, s. 85-88.
[13th European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. Ulm (DE), 07.06.2009-10.06.2009]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LC06040
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: MOVPE
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187279 - 7.0134479 - FZU-D 20030379 RIV IT eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Mačkal, Adam - Hazdra, P. - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Hospodková, Alice - Šimeček, Tomislav
Lasers with thin strained InAs layers in GaAs - electron-optical characterisation and operation at elevated temperatures.
European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy /10./. Lecce: Ecotekne Congress Centre, 2003, s. 12-18. ISBN 88-8305-007-X.
[European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (10./. Lecce (IT), 08.06.2003-11.06.2003]
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010318; GA AV ČR KSK1010104
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914; CEZ:MSM 212300014
Klíčová slova: strained quantum well * InAs * GaAs * electroluminescence * photoabsorption * polarization
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032380 - 8.0134357 - FZU-D 20030255 RIV TW eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Hazdra, P. - Mačkal, Adam - Samokhin, Jevgen - Šimeček, Tomislav
MOVPE grown InAs/GaAs quantum nanostructures.
Annual Meeting of Tchai-wan Physical Society. Tachaiwan: xx, 2003, s. 67-67.
[Annual Meeting of Tchai-wan Physical Society. Huanglian (TW), 12.02.2003-14.02.2003]
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010318
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: quantum dots * quantum rings * quantum wells
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032262 - 9.0134081 - FZU-D 20020370 RIV IT eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Toušková, J. - Kindl, Dobroslav - Samokhin, Jevgen - Toušek, J. - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Šimeček, Tomislav - Výborný, Zdeněk
Transport mechanism and spectral characteristics of GaSb/GaAs heterostructures prepared by MOVPE.
Seventh European Photovoltaic Solar Energy Conference. Florence: WIPMunich and ETAFlorence, 2002 - (McNelis, B.; Palz, W.; Ossenbrink, H.; Helm, P.), s. 146-148. ISBN 88-900442-3-3.
[European Photovoltaic Solar Energy Conference /17./. Munich (DE), 22.10.2001-26.10.2001]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0414
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: thermophotovoltaics * gallium arsenide based cells * GaSb
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032018 - 10.0134078 - FZU-D 20020367 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Šimeček, Tomislav
InAs/GaAs quantum-size structures grown by MOVPE.
NANO'02. Brno: Czech Society for New Materials, 2002 - (Švejcar, J.), s. 49-49. ISBN 80-7204-258-0.
[NANO'02. Brno (CZ), 19.11.2002-21.11.2002]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: MOVPE technology * semiconductor nanostructures
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032015