Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0372993 - FZÚ 2012 CN eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Matulková, Irena - Cihelka, Jaroslav - Zelinger, Zdeněk - Civiš, Martin - Šimeček, Tomislav - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard
    Diagnostic and characterization of the VCSEL diodes based on W heterostructure type II on GaSb substrate.
    Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices (MIOMD-X). Shanghai: Shanghai Institute of Microsystem and Information technology Chinese Academy of Sciences, 2010, s. 178-179. ISBN N.
    [International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices /10./ (MIOMD-X). Shanghai (CN), 05.09.2010-09.09.2010]
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z40400503; CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: VCSEL diodes * GaSb * semiconductor laser * MID-IR
    Kód oboru RIV: CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0206174
     
     
  2. 2.
    0371550 - FZÚ 2012 DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Fulem, Michal - Morávek, Pavel - Pangrác, Jiří - Hulicius, Eduard - Šimeček, Tomislav - Růžička, K. - Růžička, V. - Kozyrkin, B. - Shatunov, V.
    Vapor pressure of timethylantimony and tert-butyldimethylantimony.
    EWMOVPE 2009. Ulm: DOW Electronic Materials, 2009, s. 51-53.
    [European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /13./. ULM (DE), 07.06.2009-10.06.2009]
    Grant CEP: GA ČR GA203/08/0217
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: vapor pressure * trimethylantimony * tert-butyldimethylantimony * static method
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0205042
     
     
  3. 3.
    0371231 - FZÚ 2012 DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Mikhailova, M. P. - Andreev, I.A. - Moiseev, K. D. - Ivanov, E.V. - Konovalov, G.G. - Mikhailov, M.Yu. - Yakovlev, Yu. P. - Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Šimeček, Tomislav
    Mid-infrared light emitting diodes and high-speed photodiodes based on type II heterostructures with deep AlSb/InAsSb/AlSb quantum wells in an active region.
    Compound Semiconductor Week. 38th International Symposium on Compound Semiconductors - ISCS 2011. Berlin: N, 2011, s. 159-160. ISBN N.
    [International Symposium on Compound Semiconductors/38./ - ISCS-2011. Berlin (DE), 22.05.2011-26.05.2011]
    Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: MOCVD * QW * GaSb * IR LED
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0204797
     
     
  4. 4.
    0367084 - FZÚ 2012 FR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Pangrác, Jiří - Hulicius, Eduard - Fulem, Michal - Vyskočil, Jan - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
    Organometallic Ge precursors, their stability and vapour pressure measurement.
    IC-MOVPE XIV. Metz: UMI2958 GT-CNRS, 2008, s. 421-422.
    [International Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Conference /14./. Metz (FR), 01.06.2008-06.06.2008]
    Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: germanium precursors * vapour pressure * MOVPE
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0201866
     
     
  5. 5.
    0367077 - FZÚ 2012 FR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
    Influence of capping layer growth parameters on the properties of MOVPE grown InAs/GaAs quantum dots.
    IC-MOVPE XIV. Metz: UMI2958 GT-CNRS, 2008, s. 101-102.
    [International Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Conference /14./. Metz (FR), 01.06.2008-06.06.2008]
    Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719; GA ČR GA202/06/0718
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: InAs/GaAs * quantum dots * MOVPE * RAS
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0201862
     
     
  6. 6.
    0346192 - ÚFE 2011 DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Hulicius, Eduard - Gladkov, Petar - Fejfar, Antonín - Ledinský, Martin - Humlíček, J. - Šimeček, Tomislav - Paskova, T. - Evans, K.
    Effect of Fe doping on optical properties of SI GaN bulk substrates suitable for MOVPE growths.
    EWMOVPE 2009. Ulm: DOW Electronic Materials, 2009, s. 85-88.
    [13th European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. Ulm (DE), 07.06.2009-10.06.2009]
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LC06040
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: MOVPE
    Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187279
     
     
  7. 7.
    0134479 - FZU-D 20030379 RIV IT eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Mačkal, Adam - Hazdra, P. - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Hospodková, Alice - Šimeček, Tomislav
    Lasers with thin strained InAs layers in GaAs - electron-optical characterisation and operation at elevated temperatures.
    European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy /10./. Lecce: Ecotekne Congress Centre, 2003, s. 12-18. ISBN 88-8305-007-X.
    [European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (10./. Lecce (IT), 08.06.2003-11.06.2003]
    Grant CEP: GA AV ČR IAA1010318; GA AV ČR KSK1010104
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914; CEZ:MSM 212300014
    Klíčová slova: strained quantum well * InAs * GaAs * electroluminescence * photoabsorption * polarization
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032380
     
     
  8. 8.
    0134357 - FZU-D 20030255 RIV TW eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Hazdra, P. - Mačkal, Adam - Samokhin, Jevgen - Šimeček, Tomislav
    MOVPE grown InAs/GaAs quantum nanostructures.
    Annual Meeting of Tchai-wan Physical Society. Tachaiwan: xx, 2003, s. 67-67.
    [Annual Meeting of Tchai-wan Physical Society. Huanglian (TW), 12.02.2003-14.02.2003]
    Grant CEP: GA AV ČR IAA1010318
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: quantum dots * quantum rings * quantum wells
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032262
     
     
  9. 9.
    0134081 - FZU-D 20020370 RIV IT eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Toušková, J. - Kindl, Dobroslav - Samokhin, Jevgen - Toušek, J. - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Šimeček, Tomislav - Výborný, Zdeněk
    Transport mechanism and spectral characteristics of GaSb/GaAs heterostructures prepared by MOVPE.
    Seventh European Photovoltaic Solar Energy Conference. Florence: WIPMunich and ETAFlorence, 2002 - (McNelis, B.; Palz, W.; Ossenbrink, H.; Helm, P.), s. 146-148. ISBN 88-900442-3-3.
    [European Photovoltaic Solar Energy Conference /17./. Munich (DE), 22.10.2001-26.10.2001]
    Grant CEP: GA ČR GA102/99/0414
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: thermophotovoltaics * gallium arsenide based cells * GaSb
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032018
     
     
  10. 10.
    0134078 - FZU-D 20020367 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Šimeček, Tomislav
    InAs/GaAs quantum-size structures grown by MOVPE.
    NANO'02. Brno: Czech Society for New Materials, 2002 - (Švejcar, J.), s. 49-49. ISBN 80-7204-258-0.
    [NANO'02. Brno (CZ), 19.11.2002-21.11.2002]
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: MOVPE technology * semiconductor nanostructures
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032015
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.