Výsledky vyhledávání
- 1.0466021 - FZÚ 2017 US eng A - Abstrakt
Vyskočil, Jan - Hospodková, Alice - Zíková, Markéta - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Petříček, Otto - Hulicius, Eduard
GaAsSb/InAs/(In)GaAs type II quantum dots for solar cell applications.
ICMOVPE XVIII. Program and Exhibit Guide. Warrendale: MRS - Conference Services, 2016 - (Biefeld, R.). s. 44-44
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InAs * GaAsSb * InGaAs * quantum dot * solar cells
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0264476 - 2.0433687 - FZÚ 2015 CH eng A - Abstrakt
Vyskočil, Jan - Gladkov, Petar - Petříček, Otto - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří
Growth and properties of AIII BV QD structures for intermediate band solar cells.
International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. Lausanne: École Polytechnique Fédérale de Lausanne, 2014 - (Kapon, E.; Rudra, A.). s. 7-7
[International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. 13.07.2014-18.07.2014, Lausanne]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985882
Klíčová slova: metalorganic vapor phase epitaxy * InAs/GaAs quantum dots * GaAsSb strain reducing layer * solar cells
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0237896