Výsledky vyhledávání
- 1.0429421 - FZÚ 2015 RIV cze P - Patentový dokument
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří
GaAsSb vrstva s gradovaným složením redukující pnutí v InAs/GaAs kvantových tečkách.
[Gallium arsenide antimonite layer with graded composition for reducing strain in indium arsenide/gallium arsenide quantum dots.]
2013. Vlastník: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Datum udělení patentu: 17.04.2013. Číslo patentu: 303855
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: quantum dots * InAs * GaAs * GaAsSb * strain reducing layer
Kód oboru RIV: BH - Optika, masery a lasery
http://isdv.upv.cz/portal/pls/portal/portlets.pts.det?xprim=1715180&lan=cs
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0234536