Výsledky vyhledávání
- 1.0303943 - URE-Y 20020081 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Grym, Jan
Preparation of InP-based semiconductor materials with low density of defects: effect of Nd, Tb and Yb addition.
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. B91/92, - (2002), s. 407-411. ISSN 0921-5107. E-ISSN 1873-4944.
[DRIP /9./. Rimini, 24.09.2001-28.09.2001]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: liquid phase epitaxial growth * rare earth metals * semiconductor materials
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114087 - 2.0303450 - URE-Y 990027 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Bludská, Jana - Jakubec, Ivo - Nohavica, Dušan - Pekárek, Ladislav
Hydrogen photoevolution on InGaP polycrystalline and tandem-type electrodes.
Czechoslovak Journal of Physics. Roč. 49, č. 5 (1999), s. 775-781. ISSN 0011-4626.
[Czech-Chinese Workshop on Advanced Materials for Optoelectronics - AMFO'98. Prague, 15.06.1998-17.06.1998]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: III-V semiconductors * semiconductor devices * cells-electric
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.328, rok: 1999
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0003144 - 3.0303428 - URE-Y 990017 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Žďánský, Karel
Preparation and properties of thick not intentionally doped GaInP(As)/GaAs layers for optoelecronic applications.
Czechoslovak Journal of Physics. Roč. 49, č. 5 (1999), s. 797-803. ISSN 0011-4626.
[Czech-Chinese Workshop on Advanced Materials for Optoelectronics - AMFO'98. Prague, 15.06.1998-17.06.1998]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: gallium compounds * epitaxial growth * photoluminescence * Hall effect
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.328, rok: 1999
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0003141 - 4.0303415 - URE-Y 990011 RIV SK eng J - Článek v odborném periodiku
Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Novotný, Jan - Peřina, Vratislav
Influence of some f-elements on the properties of InP layers prepared by LPE.
Journal of Electrical Engineering - Elektrotechnický časopis. Roč. 50, 2/s (1999), s. 20-23. ISSN 1335-3632. E-ISSN 1339-309X.
[Development of Materials Science in Research and Education - DMS-RE 1998 /8./. Zlenice, 08.09.1998-10.09.1998]
Grant CEP: GA ČR GA102/96/1238; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: III-V semiconductors * rare earth compounds * liquid phase epitaxial growth * crystal defects
Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113637