Výsledky vyhledávání
- 1.0581983 - ÚFM 2025 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Govind, K. - Oliveros, D. - Dlouhý, Antonín - Legros, M. - Sandfeld, S.
Deep learning of crystalline defects from TEM images: a solution for the problem of 'never enough training data'.
MACHINE LEARNING-SCIENCE AND TECHNOLOGY. Roč. 5, č. 1 (2024), č. článku 015006. E-ISSN 2632-2153
Institucionální podpora: RVO:68081723
Klíčová slova: situ * insights * deep learning * synthetic training data * segmentation * data mining * transmission electron microscopy * dislocation * crystal defect
Obor OECD: Computer sciences, information science, bioinformathics (hardware development to be 2.2, social aspect to be 5.8)
Způsob publikování: Open access
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/2632-2153/ad1a4e
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0350122 - 2.0544795 - ÚFM 2022 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Oliveros, D. - Fraczkiewicz, A. - Dlouhý, Antonín - Zhang, C. - Song, HX. - Sandfeld, S. - Legros, M.
Orientation-related twinning and dislocation glide in a cantor high entropy alloy at room and cryogenic temperature studied by in situ TEM straining.
Materials Chemistry and Physics. Roč. 272, NOV (2021), č. článku 124955. ISSN 0254-0584. E-ISSN 1879-3312
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LQ1601
Institucionální podpora: RVO:68081723
Klíčová slova: stacking-fault energies * 60-degrees dislocations * mechanical-properties * stainless-steel * plasticity * In situ TEM * High entropy alloy * Plasticity * Twinning * Dislocation
Obor OECD: Materials engineering
Impakt faktor: 4.778, rok: 2021
Způsob publikování: Open access
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0254058421007380?via%3Dihub
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0321606 - 3.0024781 - ÚFM 2006 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Jacques, A. - Legros, M. - Kruml, Tomáš - George, A.
Cyclic deformation of silicon single crystals: correlation between dislocation microstructure and mechanical behaviour during linear hardening.
[Cyklická deformace monokrystalického křemíku: korelace mezi dislokační mikrostrukturou a mechanickým chováním během lineárního zpevnění.]
Physica Status Solidi C. Roč. 6, č. 2 (2005), s. 1992-1997. ISSN 1610-1634.
[Extended Defects in Semiconductors (EDS2004) /10./. Chernogolovka, 11.09.2004–17.09.2004]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2041904
Klíčová slova: fatigue * silicon single crystal * dislocation microstructure
Kód oboru RIV: JL - Únava materiálu a lomová mechanika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0115272