Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0341952 - FZÚ 2010 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Honda, Shinya - Mates, Tomáš - Rezek, Bohuslav - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan
    Microscopic study of the H2O vapor treatment of the silicon grain boundaries.
    [Mikroskopická studie ošetřování hranic zrn v křemíku vodní parou.]
    Journal of Non-Crystalline Solids. Roč. 354, č. 19-25 (2008), s. 2310-2313. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812
    Grant CEP: GA MŽP(CZ) SN/3/172/05
    Klíčová slova: polycrystalline silicon films * H2O vapor treatment * potential * crystalline disorder * stress * defects * passivation
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.449, rok: 2008
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0184791
     
     
  2. 2.
    0336628 - FZÚ 2010 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
    Stuchlík, Jiří - Ledinský, Martin - Honda, Shinya - Drbohlav, Ivo - Mates, Tomáš - Fejfar, Antonín - Hruška, Karel - Stuchlíková, The-Ha - Kočka, Jan
    LiF enhanced nucleation of the low temperature microcrystalline silicon prepared by plasma enhanced chemical vapour deposition.
    Thin Solid Films. Roč. 517, č. 24 (2009), s. 6829-6832. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
    Grant CEP: GA AV ČR KAN400100701; GA ČR(CZ) GD202/05/H003; GA MŠMT LC510; GA AV ČR IAA1010413
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: amorphous hydrogenated silicon * atomic force microscopy * plasma-enhanced chemical vapour deposition, * nucleation * Raman scattering * lithium fluoride
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.727, rok: 2009
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0180823
     
     
  3. 3.
    0324621 - FZÚ 2009 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Ogane, A. - Honda, Shinya - Uraoka, Y. - Fuyuki, T. - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan
    Crystallographic properties of grain size-controlled polycrystalline silicon thin films deposited on alumina substrate.
    [Krystalografické vlastnosti tenkých vrstev polykrystalického křemíku s řízenou velikostí zrna na safírových podložkách.]
    Journal of Crystal Growth. Roč. 311, č. 3 (2009), s. 789-793. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: crystallites * defects * chemical vapor deposition processes * solar cells
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.534, rok: 2009
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0172268
     
     
  4. 4.
    0312592 - FZÚ 2009 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Honda, Shinya - Mates, Tomáš - Rezek, Bohuslav - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan
    Microscopic study of the H2O vapor treatment of the silicon grain boundaries.
    [Mikroskopická studie ošetřování hranic zrn v křemíku vodní parou.]
    Journal of Non-Crystalline Solids. Roč. 354, č. 19-25 (2008), s. 2310-2313. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LC06040; GA AV ČR KAN400100701; GA ČR(CZ) GD202/05/H003; GA AV ČR IAA1010316; GA MŠMT LC510; GA AV ČR IAA1010413; GA AV ČR KJB100100512; GA MŽP(CZ) SN/3/172/05
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: polycrystalline silicon films * H2O vapor treatment * potential * crystalline disorder * stress * defects * passivation
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.449, rok: 2008
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0163616
     
     
  5. 5.
    0040694 - FZÚ 2007 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Honda, Shinya - Mates, Tomáš - Ledinský, Martin - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan - Yamazaki, T. - Uraoka, Y. - Fuyuki, T. - Boldyryeva, Hanna - Macková, Anna - Peřina, Vratislav
    Defects generation by hydrogen passivation of polycrystalline silicon thin films.
    [Generování defektů v polykrystalických křemíkových vrstvách při pasivaci vodíkem.]
    Solar Energy. Roč. 80, - (2006), s. 653-657. ISSN 0038-092X. E-ISSN 1471-1257
    Grant CEP: GA MŽP(CZ) SM/300/1/03; GA MŽP(CZ) SN/3/172/05; GA AV ČR IAA1010413; GA ČR(CZ) GD202/05/H003; GA AV ČR IAA1010316
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z10480505
    Klíčová slova: hydrogen passivation * ERDA * photoluminescence * Raman spectroscopy * Si-H2 bonding * H2 molecules * grain size.
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.431, rok: 2006
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0134356
     
     
  6. 6.
    0040692 - FZÚ 2007 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Honda, Shinya - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan - Yamazaki, T. - Ogane, A. - Uraoka, Y. - Fuyuki, T.
    Annealing in water vapor as a new method for improvement of silicon thin film properties.
    [Žíhání ve vodních parách jako nová metoda pro zlepšení vlastností tenkých křemíkových vrstev.]
    Journal of Non-Crystalline Solids. Roč. 352, - (2006), s. 955-958. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812
    Grant CEP: GA MŽP(CZ) SM/300/1/03; GA MŽP(CZ) SN/3/172/05; GA AV ČR(CZ) IAA1010316; GA AV ČR(CZ) IAA1010413; GA ČR(CZ) GD202/05/H003
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: silicon * solar cells
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.362, rok: 2006
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0134354
     
     
  7. 7.
    0040095 - FZÚ 2007 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
    Honda, Shinya - Mates, Tomáš - Knížek, Karel - Ledinský, Martin - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan - Yamazaki, T. - Uraoka, Y. - Fuyuki, T.
    Hydrogenation of polycrystalline silicon thin films.
    [Hydrogenace temkých vrstev polykrystalického křemíku.]
    Thin Solid Films. Roč. 501, - (2006), s. 144-148. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
    Grant CEP: GA MŠMT ME 537; GA MŽP(CZ) SM/300/1/03; GA AV ČR(CZ) IAA1010316; GA AV ČR(CZ) IAA1010413; GA ČR(CZ) GA202/03/0789
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: polycrystalline silicon * atmospheric pressure chemical vapour deposition * hydrogen passivation * photoluminescence * Raman spectroscopy * Si-H2 bonding * hydrogen molecules
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.666, rok: 2006
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0133955
     
     
  8. 8.
    0032381 - ÚJF 2007 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Boldyryeva, Hanna - Honda, Shinya - Macková, Anna - Mates, Tomáš - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan
    Characterization of hydrogen contained in passivated poly-Si and microcrystalline-Si by ERDA technique.
    [Charakterizace vodíku obsaženého ve vrstvách pasivovaného polykrystalického a mikrokrystalického křemíku s použitím metody ERDA.]
    Surface and Interface Analysis. Roč. 38, č. 4 (2006), s. 819-822. ISSN 0142-2421. E-ISSN 1096-9918
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LC06041
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10480505; CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: ERDA * hydrogen concentration, * thin film solar cells
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.427, rok: 2006
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0132912
     
     
  9. 9.
    0028425 - FZÚ 2006 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
    Honda, Shinya - Mates, Tomáš - Ledinský, Martin - Oswald, Jiří - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan - Yamazaki, T. - Uraoka, Y. - Fuyuki, T.
    Effect of hydrogen passivation on polycrystalline silicon thin films.
    [Efekt pasivace vodíkem na polykrystalické křemíkové tenké vrstvy.]
    Thin Solid Films. Roč. 487, - (2005), s. 152-156. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
    Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IAA1010316; GA AV ČR(CZ) IAA1010413; GA ČR(CZ) GD202/05/H003
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: hydrogen passivation * polycrystalline silicon * photoluminescence * Raman spectroscopy * Si-H2 * hydrogen molecules
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.569, rok: 2005
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0118367
     
     
  10. 10.
    0028414 - FZÚ 2006 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Fejfar, Antonín - Stuchlík, Jiří - Mates, Tomáš - Ledinský, Martin - Honda, Shinya - Kočka, Jan
    Patterning of hydrogenated microcrystalline silicon growth by magnetic field.
    [Plošné formování růstu mikrokrystalického křemíku pomocí magnetického pole.]
    Applied Physics Letters. Roč. 87, č. 1 (2005), 011901/1-011901/3. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
    Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IAA1010316; GA AV ČR(CZ) IAA1010413; GA ČR(CZ) GD202/05/H003
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: hydrogenated microcrystalline silicon * magnetic field growth
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 4.127, rok: 2005
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0118356
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.