Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0509479 - FZÚ 2020 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Dubecký, F. - Zat'ko, B. - Kolesár, V. - Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Gombia, E. - Dubecký, M.
    Charge collection efficiency of Pt vs. Mg contacts on semi-insulating GaAs.
    Applied Surface Science. Roč. 467, Feb (2019), s. 1219-1225. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: semi-insulating GaAs * metal-semiconductor contact * metal-oxide-semiconductor contact * charge collection efficiency
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 6.182, rok: 2019
    Způsob publikování: Omezený přístup
    https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.10.164
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0300223
     
     
  2. 2.
    0475009 - FZÚ 2018 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Dubecký, F. - Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Mičušík, M. - Dubecký, M. - Boháček, P. - Vanko, G. - Gombia, E. - Nečas, V. - Mudroň, J.
    A comparative study of Mg and Pt contacts on semi-insulating GaAs: electrical and XPS characterization.
    Applied Surface Science. Roč. 395, Feb (2017), s. 131-135. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: semi-insulating GaAs * metal-semiconductor contact * interface * work function * electron transport * XPS
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 4.439, rok: 2017
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0271890
     
     
  3. 3.
    0458953 - FZÚ 2017 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Dubecký, F. - Oswald, Jiří - Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Dubecký, M. - Gombia, E. - Šagátová, A. - Boháček, P. - Sekáčová, M. - Nečas, V.
    Photocurrent spectra of semi-insulating GaAs M-S-M diodes: role of the contacts.
    Solid-State Electronics. Roč. 118, Apr (2016), 30-35. ISSN 0038-1101. E-ISSN 1879-2405
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: photocurrent spectroscopy * semi-insulating GaAs * detectors * contacts
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.580, rok: 2016
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0259159
     
     
  4. 4.
    0391737 - FZÚ 2014 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Dubecký, F. - Dubecký, M. - Hubík, Pavel - Kindl, Dobroslav - Gombia, E. - Baldini, M. - Nečas, V.
    Unexpected current lowering by a low work-funkction metal contact: Mg/SI-GaAs.
    Solid-State Electronics. Roč. 82, APR (2013), s. 72-76. ISSN 0038-1101. E-ISSN 1879-2405
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: Schottky barrier * low-bias transport * semi-insulating GaAs * low work-function * high resistence * low leakage current * blocking contact
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.514, rok: 2013
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0220698
     
     
  5. 5.
    0331194 - FZÚ 2010 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Dubecký, F. - Zat'ko, B. - Hubík, Pavel - Gombia, E. - Boháček, P. - Huran, J. - Sekáčová, M.
    A new kind of quasi-ohmic metallization in semi-insulating GaAs: study of electrical characteristics.
    [Nový typ kvaziohmické metalizace v semiizolačním GaAs.]
    Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Roč. 607, č. 1 (2009), 132-134. ISSN 0168-9002. E-ISSN 1872-9576.
    [International Workshop on Radiation Imaging Detectors /10./. Helsinki, 29.06.2008-03.07.2008]
    Grant CEP: GA AV ČR IAA1010404
    Grant ostatní: SGAS(SK) 2/7170/27; APRD(SK) APVV-99-P06305; APRD(SK) APVV-0459-06
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: GaAs * semi-insulating * metal-semiconductor contact * Schottky barrier * work function
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.317, rok: 2009
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0176781
     
     


  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.