Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0560717 - FZÚ 2023 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Dubecký, F. - Hubík, Pavel - Vanko, G. - Zaťko, B. - Boháček, P. - Sekáčová, M. - Šagátová, A. - Nečas, V.
    Investigation of Mg contact on SI-GaAs.
    Proceedings of the 13th International Conference on Advanced Semiconductor Devices And Microsystems. New York: IEEE, 2020 - (Vanko, G.; Izsák, T.), s. 147-151. ISBN 978-1-7281-9776-0.
    [International Conference on Advanced Semiconductor Devices And Microsystems - (ASDAM) /13./. Smolenice (SK), 11.10.2020-14.10.2020]
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: semi-insulating GaAs * contacts * magnesium * electron transport
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0333572
     
     
  2. 2.
    0521995 - FZÚ 2020 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Dubecký, F. - Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Mičušík, M. - Boháček, P. - Zaťko, B. - Gombia, E. - Kováč, J. - Nečas, V.
    Role of contacts in metal/semi-insulating GaAs/metal structures: Symmetrical geometry.
    APCOM 2019. New York: American Institute of Physics Inc., 2019 - (Jamnicky, I.; Vajda, J.; Sitek, J.), s. 1-4, č. článku 020010. ISBN 9780735418738.
    [International Conference on Applied Physics of Condensed Matter /25./. Štrbské Pleso (SK), 19.06.2019-21.06.2019]
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: SI-GaAs * heterojunction * I-V characteristics * capacitance
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    https://printorders.aip.org/proceedings/2131
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0306535
     
     
  3. 3.
    0486629 - FZÚ 2018 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Dubecký, F. - Vanko, G. - Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Gombia, E. - Boháček, P. - Sekáčová, M. - Zat'ko, B.
    Investigation of metal contacts on semi-insulating GaAs: physics, technology and applications.
    Proceedings of the 11th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. New York: IEEE Inc., 2016 - (Haščík, Š.; Dzuba, J.; Vanko, G.), s. 219-222, č. článku 7805934. ISBN 978-1-5090-3083-5. ISSN 2475-2916.
    [International Conference on Advanced Semiconductor Devices & Microsystems (ASDAM) /11./. Smolenice (SK), 13.11.2016-16.11.2016]
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: radiation detectors * performance * metalization * MgO
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    http://ieeexplore.ieee.org/document/7805934/
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0281383
     
     
  4. 4.
    0440049 - FZÚ 2015 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Dubecký, F. - Oswald, Jiří - Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Gombia, E. - Šagátová, A. - Boháček, P. - Sekáčová, M. - Nečas, V. - Mudroň, J.
    Photocurrent spectroscopy of semi-insulating GaAs M-S-M diodes with a new contact metallization.
    Proceedings of the 20th International Conference on Applied Physics of Condensed Matter. Bratislava: FEI STU, 2014 - (Vajda, J.; Jamnický, I.), s. 214-218. ISBN 978-80-227-4179-8.
    [International Conference on Applied Physics of Condensed Matter /20./. Štrbské Pleso (SK), 25.06.2014-27.06.2014]
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: current-voltage measurements * photocurrent spectroscopy * GaAs
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0243195
     
     
  5. 5.
    0439987 - FZÚ 2015 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Dubecký, F. - Zat'ko, B. - Vanko, G. - Hubík, Pavel - Oswald, Jiří - Kindl, Dobroslav - Gombia, E. - Kováč, J. - Šagátová, A. - Nečas, V.
    M/SI-GaAs/M diode: Role of the metal contact in electrical transport, α-particle and photon detection.
    ASDAM 2014- Conference Proceedings: The 10th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Bratislava: Slovak University of Technology, 2014 - (Breza, J.; Donoval, D.; Vavrinsky, E.), s. 49-52. ISBN 978-1-4799-5474-2.
    [International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /10./. Smolenice (SK), 20.10.2014-22.10.2014]
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: current-voltage measurements * GaAs * radiation detectors
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0243147
     
     
  6. 6.
    0425745 - FZÚ 2014 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Dubecký, F. - Kováč, J. - Kováč jr., J. - Zat'ko, B. - Oswald, Jiří - Hubík, Pavel - Kindl, Dobroslav - Vanko, G. - Gombia, E. - Ferrari, C. - Boháček, P. - Šagátová, A. - Nečas, V. - Sekáčová, M.
    4H-SiC and novel SI GaAs-based M-S-M radiation hard photodetectors applicable in UV, EUV and soft X-ray detection: Design, technology and performance testing.
    Damage to VUV, EUV, and X-ray Optics IV; and EUV and X-ray Optics: Synergy between Laboratory and Space III. Bellingham: SPIE, 2013 - (Juha, L.; Bajt, S.; London, R.; Hudec, R.; Pína, L.). Proceedings of SPIE, 8777. ISBN 9780819495792.
    [Damage to VUV, EUV, and X-ray Optics IV; and EUV and X-ray Optics: Synergy between Laboratory and Space III. Praha (CZ), 15.04.2013-18.04.2013]
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: 4H-SiC * EUV * photocurrent spectroscopy * semi-insulating GaAs * UV * X-ray detector
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0231558
     
     
  7. 7.
    0355867 - FZÚ 2011 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Dubecký, F. - Ladzianský, M. - Kindl, Dobroslav - Nečas, V.
    Semi-insulating GaAs radiation detectors: PICTS study of neutron-induced defects.
    ASDAM 2010. Piscataway: IEEE, 2010 - (Breza, J.; Donoval, D.; Vavrinsky, E.), s. 207-210. ISBN 978-1-4244-8572-7.
    [ASDAM 2010 - The Eight International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Smolenice Castle (SK), 25.10.2010-27.10.2010]
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: SI GaAs detectors * neutron bombardment * deep levels * PICTS
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0006319
     
     
  8. 8.
    0349319 - FZÚ 2011 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Dubecký, F. - Hubík, Pavel - Gombia, E. - Zat'ko, B. - Kindl, Dobroslav - Dubecký, M. - Boháček, P.
    Anomalous charge current transport in semi-insulatingGaAs with a new contact metallization: Influence of 2DEG formed at the M-S interface.
    SURFINT-SREN II. Bratislava: Comenius University, 2010 - (Brunner, R.), s. 19-22. ISBN 978-80-223-2723-7.
    [Progress in Applied Surface, Interface and Thin Film Science 2009. Florence (IT), 16.11.2009-19.11.2009]
    Grant CEP: GA ČR GA202/07/0525
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: SI-GaAs * X-ray detectors * charge transport * metallization
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0189588
     
     
  9. 9.
    0349314 - FZÚ 2011 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Dubecký, F. - Kováč, J. - Mudroň, J. - Hubík, Pavel - Dubecký, M. - Gombia, E.
    Photocurrent spectroscopy of semi-insulating GaAs with a new contact metallization: indication of 2DEG formed at the M-S interface.
    APCOM 2010. Bratislava: Slovak University of Technology, 2010 - (Vajda, J.; Weis, M.), s. 29-32. ISBN 978-80-227-3307-6.
    [International Conference on Applied Physics of Condensed Matter /16./. Malá Lučivná (SK), 16.06.2010-18.06.2010]
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: SI-GaAs * detectors * photocurrent * blocking electrodes
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0189585
     
     
  10. 10.
    0320708 - FZÚ 2009 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Dubecký, F. - Zat'ko, B. - Hubík, Pavel - Boháček, P. - Gombia, E. - Chromík, Š.
    Study of bulk semi-insulating GaAs radiation detectors: role of ohmic contact metallization in electrical charge transport and detection performance.
    [Studium objemových detektorů záření založených na semiizolačním GaAs: role metalizace ohmického kontaktu v transportu elektrického náboje a v detekční účinnosti.]
    ASDAM 2008. Piscataway, N.J: IEEE Operation Center, 2008 - (Haščík, Š.; Osvald, J.), 295 - 298. ISBN 978-1-4244-2325-5.
    [International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /7./. Smolenice Castle (SK), 12.10.2008-16.10.2008]
    Grant CEP: GA AV ČR IAA1010404
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: radiation detector * semi-insulating GaAs * ohmic contact * work function
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0169501
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.