Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0321388 - FZÚ 2009 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Pelant, Ivan - Tomašiunas, R. - Sirutkaitis, V. - Valenta, J. - Ostatnický, T. - Kůsová, Kateřina - Elliman, R. G.
    Ultrafast decay of femtosecond laser-induced grating in silicon-quantum-dot-based optical waveguides.
    [Ultrarychlé doznívání femtosekundovým laserem indukované mřížky v optických vlnovodech založených na křemíkových kvantových tečkách.]
    Journal of Physics D-Applied Physics. Roč. 41, č. 1 (2008), 015103/1-015103/5. ISSN 0022-3727. E-ISSN 1361-6463
    Grant CEP: GA AV ČR IAA1010316; GA MŠMT LC510; GA ČR GA202/07/0818; GA AV ČR IAA1010413
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: laser-induced grating (LIG) * optical waveguides * silicon quantum dots
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 2.104, rok: 2008
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0169953
     
     
  2. 2.
    0320383 - FZÚ 2009 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Vetushka, Aliaksi - Ledinský, Martin - Stuchlík, Jiří - Mates, Tomáš - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan
    Mapping of mechanical stress in silicon thin films on silicon cantilevers by Raman microspectroscopy.
    [Mapování mechanického pnutí v tenkých křemíkových vrstvách na křemíkových raménkách pomocí Ramanovské mikrospektroskopie.]
    Journal of Non-Crystalline Solids. Roč. 354, 19-25 (2008), s. 2235-2237. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LC06040; GA AV ČR KAN400100701; GA ČR(CZ) GD202/05/H003; GA MŠMT LC510; GA AV ČR IAA1010413; GA AV ČR KJB100100512; GA AV ČR IAA1010316
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: silicon * solar cells * nanocrystals * photovoltaics * Raman scattering * mechanical stress relaxation
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.449, rok: 2008
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0169277
     
     
  3. 3.
    0320321 - FZÚ 2009 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Kočka, Jan - Mates, Tomáš - Ledinský, Martin - Stuchlíková, The-Ha - Stuchlík, Jiří - Fejfar, Antonín
    A simple quality factor for characterization of thin silicon films.
    [Jednoduchý faktor kvality pro charakterizaci tenkých vrstev křemíku].]
    Journal of Non-Crystalline Solids. Roč. 354, 19-25 (2008), s. 2227-2230. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LC06040; GA ČR(CZ) GD202/05/H003; GA MŠMT LC510; GA AV ČR IAA1010413; GA AV ČR IAA1010316; GA MŽP(CZ) SN/3/172/05
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: microcrystalline silicon * deposition process * high growth rate * quality evaluation
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.449, rok: 2008
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0169235
     
     
  4. 4.
    0320320 - FZÚ 2009 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Kočka, Jan - Mates, Tomáš - Ledinský, Martin - Stuchlíková, The-Ha - Stuchlík, Jiří - Fejfar, Antonín
    Properties of thin film silicon, prepared at high growth rate in a wide range of thicknesses.
    [Vlastnosti tenkých křemíkových vrstev připravených vysokou rychlostí růstu v širokém rozsahu tlouštěk.]
    Journal of Non-Crystalline Solids. Roč. 354, 19-25 (2008), s. 2451-2454. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LC06040; GA AV ČR KAN400100701; GA ČR(CZ) GD202/05/H003; GA MŠMT LC510; GA AV ČR IAA1010413; GA AV ČR IAA1010316
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: conductivity * plasma deposition
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.449, rok: 2008
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0169234
     
     
  5. 5.
    0312592 - FZÚ 2009 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Honda, Shinya - Mates, Tomáš - Rezek, Bohuslav - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan
    Microscopic study of the H2O vapor treatment of the silicon grain boundaries.
    [Mikroskopická studie ošetřování hranic zrn v křemíku vodní parou.]
    Journal of Non-Crystalline Solids. Roč. 354, č. 19-25 (2008), s. 2310-2313. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LC06040; GA AV ČR KAN400100701; GA ČR(CZ) GD202/05/H003; GA AV ČR IAA1010316; GA MŠMT LC510; GA AV ČR IAA1010413; GA AV ČR KJB100100512; GA MŽP(CZ) SN/3/172/05
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: polycrystalline silicon films * H2O vapor treatment * potential * crystalline disorder * stress * defects * passivation
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.449, rok: 2008
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0163616
     
     
  6. 6.
    0309897 - FZÚ 2009 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Ledinský, Martin - Vetushka, Aliaksi - Stuchlík, Jiří - Mates, Tomáš - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan - Štepánek, J.
    Crystallinity of the mixed phase silicon thin films by Raman spectroscopy.
    [Krystalinita tenké vrstvy křemíku určená Ramanovou spektroskopií.]
    Journal of Non-Crystalline Solids. Roč. 354, 19-25 (2008), s. 2253-2257. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812
    Grant CEP: GA MŽP(CZ) SN/3/172/05; GA ČR(CZ) GD202/05/H003; GA AV ČR IAA1010316; GA AV ČR IAA1010413; GA AV ČR KJB100100512
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: silicon * Raman scattering * chemical vapor deposition * Atomic force and scanning tunneling microscopy * Raman spectroscopy
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.449, rok: 2008
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0161914
     
     
  7. 7.
    0309807 - FZÚ 2009 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
    Kočka, Jan - Mates, Tomáš - Ledinský, Martin - Stuchlíková, The-Ha - Stuchlík, Jiří - Fejfar, Antonín
    A simple tool for quality evaluation of the microcrystalline silicon prepared at high growth rate.
    [Jednoduchý nástroj pro určení kvality mikrokrystalického křemíku připraveného s vysokou rychlostí růstu.]
    Thin Solid Films. Roč. 516, č. 15 (2008), s. 4966-4969. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LC06040; GA MŽP(CZ) SN/3/172/05; GA ČR(CZ) GD202/05/H003; GA MŠMT LC510; GA AV ČR IAA1010413; GA AV ČR IAA1010316
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: microcrystalline silicon * deposition process * high growth rate * quality evaluation
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.884, rok: 2008
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0161843
     
     
  8. 8.
    0308068 - FZÚ 2008 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
    Mates, Tomáš - Fejfar, Antonín - Rezek, Bohuslav - Kočka, Jan - Bronsveld, P.C.P. - Rath, J.K. - Schropp, R.E.I.
    C-AFM and X-TEM: studies of mixed-phase silicon thin films.
    [C-AFM a X-TEM: zkoumání heterostrukturních tenkých vrstev křemíku.]
    G.I.T. Imaging and Microscopy. Roč. 10, č. 1 (2008), s. 30-32. ISSN 1439-4243
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LC06040; GA MŽP(CZ) SN/3/172/05; GA ČR(CZ) GD202/05/H003; GA AV ČR IAA1010316; GA MŠMT LC510; GA AV ČR IAA1010413
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: conductive atomic force microscopy * cross-sectional transmission electron microscopy * silicon thin films
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0160655
     
     
  9. 9.
    0306467 - FZÚ 2008 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Kůsová, Kateřina - Charra, F. - Schull, G. - Pelant, Ivan
    Plasmon modes in light emission from silver nanoparticles induced by a scanning tunneling microscope.
    [Plazmonové mody v měření světelné emise buzené rastrovacím tunelovacím mikroskopem na stříbrných nanočásticích.]
    Surface Science. Roč. 602, č. 1 (2008), s. 345-348. ISSN 0039-6028. E-ISSN 1879-2758
    Grant CEP: GA AV ČR IAA1010316; GA MŠMT LC510; GA AV ČR IAA1010413
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: scanning tunneling microscopy * photon emission * plasmons * silver nanoparticles
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.731, rok: 2008
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0159485
     
     
  10. 10.
    0134595 - FZU-D 20030495 RIV JP eng J - Článek v odborném periodiku
    Fejfar, Antonín - Mates, Tomáš - Fojtík, Petr - Ledinský, Martin - Luterová, Kateřina - Stuchlíková, The-Ha - Pelant, Ivan - Kočka, Jan - Baumruk, V. - Macková, Anna - Ito, M. - Ro, K. - Uyama, H.
    Structure and properties of silicon thin films deposited at low substrate temperatures.
    Japanese Journal of Applied Physics. Roč. 42, 8B (2003), s. L987-L989. ISSN 0021-4922. E-ISSN 1347-4065
    Grant CEP: GA ČR GA202/03/0789; GA AV ČR IAA1010316; GA AV ČR IAB2949101
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1048901; CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: a-Si:H * ćc-Si:H * low-temperature growth * plastic substrates * crystallinity * hydrogen * electron transport
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.171, rok: 2003
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032491
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.