Výsledky vyhledávání
- 1.0551983 - FZÚ 2022 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Voves, J. - Pošta, A. - Davydova, Marina - Laposa, A. - Povolný, V. - Hazdra, P. - Lambert, Nicolas - Sedláková, Silvia - Mortet, Vincent
Effect of the substrate crystalline orientation on the surface morphology and boron incorporation into epitaxial diamond layers.
NANOCON 2020. 12th International Conference on Nanomaterials - Research & Application. Conference proceedings. Ostrava: TANGER, 2021, s. 98-102. ISBN 978-80-87294-98-7. ISSN 2694-930X.
[International Conference NANOCON 2020 /12./. Brno (CZ), 21.10.2020-23.10.2020]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA20-11140S; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: diamond * epitaxy * defects * boron doping * Raman mapping
Obor OECD: Coating and films
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0327191 - 2.0367155 - FZÚ 2012 RIV PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard - Hazdra, P.
GaAsSb strain reducing layers for InAs/GaAs quantum dot long wavelength and high efficiency emission.
EWMOVPE XIV. Wroclaw: Printing house of Wroclaw University of Technology, 2011 - (Prazmowska, J.), s. 105-108. ISBN 978-83-7493-599-9.
[European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /14./. Wrocław (PL), 05.06.2011-08.06.2011]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dot * InAs * GaAs * GaAsSb strain reducing layer * photoluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0006666 - 3.0134479 - FZU-D 20030379 RIV IT eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Mačkal, Adam - Hazdra, P. - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Hospodková, Alice - Šimeček, Tomislav
Lasers with thin strained InAs layers in GaAs - electron-optical characterisation and operation at elevated temperatures.
European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy /10./. Lecce: Ecotekne Congress Centre, 2003, s. 12-18. ISBN 88-8305-007-X.
[European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (10./. Lecce (IT), 08.06.2003-11.06.2003]
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010318; GA AV ČR KSK1010104
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914; CEZ:MSM 212300014
Klíčová slova: strained quantum well * InAs * GaAs * electroluminescence * photoabsorption * polarization
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032380 - 4.0134357 - FZU-D 20030255 RIV TW eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Hazdra, P. - Mačkal, Adam - Samokhin, Jevgen - Šimeček, Tomislav
MOVPE grown InAs/GaAs quantum nanostructures.
Annual Meeting of Tchai-wan Physical Society. Tachaiwan: xx, 2003, s. 67-67.
[Annual Meeting of Tchai-wan Physical Society. Huanglian (TW), 12.02.2003-14.02.2003]
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010318
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: quantum dots * quantum rings * quantum wells
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032262 - 5.0133871 - FZU-D 20020050 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hazdra, P. - Voves, J. - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav - Petříček, Otto - Kuldová, Karla
Characterization of lasers with ë-InAs layers in GaAs.
80-01-02511-X. In: Proceedings of Tenth Annual university-wide seminar WORKSHOP 2002. Praha: CTU Publishing House, 2002, s. 424-425. CTU Reports.
[Annual university-wide seminar WORKSHOP 2002 /10./. Praha (CZ), 11.02.2002-13.02.2002]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0414
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914; CEZ:MSM 212300014
Klíčová slova: semiconductor lasers * isovalent ë layers * InAs * GaAs * electroluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031822 - 6.0133090 - FZU-D 20000453 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Hazdra, P. - Voves, J. - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Vančura, Milan - Petříček, Otto - Šimeček, Tomislav
Quantum size InAs/GaAs lasers - preparation and properties.
ASDAM 2000. Conference proceedings. Danvers: IEEE, 2000 - (Osvald, J.; Haščík, Š.; Kuzmík, J.; Breza, J.), s. 375-378. ISBN 0-7803-5939-9.
[International EuroConference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /3./ ASDAM 2000. Smolenice Castle (SK), 16.10.2000-18.10.2000]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0414; GA AV ČR IAA1010807
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031078 - 7.0104218 - FZU-D 20040560 RIV FR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hazdra, P. - Voves, J. - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
Optical characterization of MOVPE grown .delta. -InAs layers in GaAs.
[Optická charakterizace InAs delta-vrstev v GaAs připravených MOVPE technologií.]
EXMATEC 2004. Montpellier: Centre National de la Recherche Scientifique, 2004, s. 73-74.
[International Workschop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & technologies /7./. Montpellier (FR), 01.06.2004-04.06.2004]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: InAs ë-layers * semiconductor lasers * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0011495 - 8.0102453 - FZU-D 20040504 RIV CZ cze C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Mačkal, Adam - Hazdra, P. - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Hospodková, Alice - Šimeček, Tomislav
Měření elektro-optických vlastností kvantově-rozměrových struktur na bázi InAs/GaAs - fotoproud a elektroluminiscence.
[Measurement of electro-optical properties of quantum-size structures based on InAs/GaAs - photocurrent and electroluminescence.]
Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích. Brno: Masarykova Univerzita v Brně, 2003, s. 18-19.
[Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích /10./. Brno (CZ), 23.06.2003-25.06.2003]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104; GA AV ČR IAA1010318
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914; CEZ:MSM 212300014
Klíčová slova: thin strained quantum well * InAs * GaAs * TE * TM * polarisation * electroluminescence * photoabsorption * elevated temperature
Kód oboru RIV: BH - Optika, masery a lasery
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0009802 - 9.0099879 - FZÚ 2008 CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hazdra, P. - Atef, M. - Komarnitsky, V. - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Hulicius, Eduard
Study of InAs/GaAs quantum dots grown by LP-MOVPE.
[Studie InAs/GaAs kvantových teček vypěstovaných technologií LP-MOVPE.]
NANO´07. Brno: VUTIUM, 2007 - (Šandera, P.), s. 36-36. ISBN 978-80-214-3460-8.
[International Conference NANO´07. Brno (CZ), 08.10.2007-10.10.2007]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dots * InAs * GaAs * MOVPE * electronic states * simulation
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0158352