Výsledky vyhledávání
- 1.0303468 - URE-Y 990044 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Žďánský, Karel - Pospíšil, S. (ed.) - Smith, K.M. (ed.) - Wilhelm, I. (ed.)
Preparation and properties of thick intentionally undopted GaInP/GaAs layers.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Roč. 434, No 1 Special Issue (1999), s. 164-168. ISSN 0168-9002. E-ISSN 1872-9576.
[International Workshop on Gallium Arsenide and Related Compounds /6./. Prague, 22.06.1998-26.06.1998]
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010807
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: III-V semiconductors * photoluminescence * semiconductor doping
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.921, rok: 1999
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113683 - 2.0133729 - FZU-D 20020110 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Moiseev, K. D. - Mikhailova, M. P. - Yakovlev, Yu. P. - Šimeček, Tomislav - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří
Photoluminescence of Ga0.94In0.06As0.13Sb0.87 solid solution lattice matched to InAs.
Optical Materials. Roč. 19, - (2002), s. 455-459. ISSN 0925-3467. E-ISSN 1873-1252
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010807
Grant ostatní: GA(XX) 990218330
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: semiconductors III-V * photoluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.879, rok: 2002
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031690 - 3.0133372 - FZU-D 20010167 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Paidar, Václav
Cross-ship of superpartial dislocations in iron aluminides.
Philosophical Magazine A: Physics of Condensed Matter Structure Defects and Mechanical Properties. Roč. 81, č. 5 (2001), s. 1065-1077. ISSN 0141-8610
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010807
Výzkumný záměr: CEZ:A02/98:Z1-010-914
Klíčová slova: anomalous flow stress * iron aluminide
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.532, rok: 2001
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031344 - 4.0133088 - FZU-D 20000451 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav - Petříček, Otto - Vančura, Milan - Hradil, J.
InAs/GaAs lasers with very thin active layer.
Thin Solid Films. Roč. 380, - (2000), s. 233-236. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010807; GA ČR GA102/99/0414
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.160, rok: 2000
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031076 - 5.0133068 - FZU-D 20000429 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Hubík, Pavel - Krištofik, Jozef - Mareš, Jiří J. - Malý, Jan - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
Deep levels in GaAs due to Si .delta. doping.
Journal of Applied Physics. Roč. 88, č. 11 (2000), s. 6488-6494. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
Grant CEP: GA ČR GA202/99/0410; GA AV ČR IAA1010806; GA AV ČR IAA1010807
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.180, rok: 2000
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031058 - 6.0132532 - FZU-D 990484 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Moiseev, K. D. - Mikhailova, M. P. - Stoyanov, N. D. - Yakovlev, Y. P. - Hulicius, Eduard - Šimeček, Tomislav - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří
Electroluminiscence and photoelectric properties of type II broken-gap n-In(Ga)As(Sb)/ N-GaSb heterostructures.
Journal of Applied Physics. Roč. 86, č. 11 (1999), s. 6264-6268. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010807
GRANT EU: European Commission(XE) BRPR970466 - ADMIRAL
Grant ostatní: Russian Basic Research Founadation(RU) 17841a; European Community Project(XE) IC20-CT97-007
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.275, rok: 1999
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030551 - 7.0132531 - FZU-D 990483 RIV CZ eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Strained InxGa1-xAs/GaAs multiplequantum wells grown by MOVPE.
Czechoslovak Journal of Physics. Roč. 496, č. 5 (1999), s. 805-811. ISSN 0011-4626.
[Czech-Chinese Workshop "Advanced Materials for Optoe-lectronics"/1./. Prague, 13.06.1998-17.06.1998]
Grant CEP: GA ČR GA202/98/0074; GA ČR GA102/99/0414; GA AV ČR IAA1010807
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.328, rok: 1999
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0000570 - 8.0131595 - FZU-D 980659 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Vorlíček, Vladimír - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav - Lippold, G. - Riede, V.
Study of InAs quantum dots in GaAs prepared on misoriented substrates.
Thin Solid Films. Roč. 336, - (1998), s. 80-83. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
Grant CEP: GA ČR GA202/98/0074; GA ČR GA102/96/1703; GA AV ČR IAA1010807
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.019, rok: 1998
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0029653